时间：2025/4/29 10:11:20
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VN7E010AJTR是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TOLL封装，具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于多种功率转换应用。其设计特别针对高效能开关应用优化，如AC-DC适配器、充电器、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：11.8A
导通电阻：0.25Ω
栅极电荷：98nC
开关频率：高达100kHz
工作温度范围：-55°C至175°C
VN7E010AJTR具备超低的导通电阻，在高电流条件下能够有效降低功耗并提高效率。此外，它还具有快速开关性能和良好的热稳定性，适合在高温环境下运行。该器件内置ESD保护功能，提高了系统的可靠性。
其TOLL封装形式具有出色的散热性能，可以减少对外部散热片的需求，并且引脚布局方便PCB设计与焊接过程。此外，VN7E010AJTR符合RoHS标准，支持环保要求。
该MOSFET广泛应用于开关电源（SMPS）、电机驱动、电池管理、工业自动化控制等领域。具体应用包括但不限于：
- AC-DC适配器及充电器
- 各类DC-DC转换器
- LED照明驱动电路
- 工业电机控制
- 电动汽车电池管理系统（BMS）
- 可再生能源逆变器
VN7E013ATR, IXTK110N65T2, FDP150N06LE
