时间：2025/5/28 12:08:54
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UMH3NTN 是一款基于 MOSFET 技术的低电压 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种需要高效能功率转换的应用场景。其封装形式通常为 TO-252 (DPAK)，适合表面贴装技术 (SMT) 使用。
该型号在设计上注重降低功耗并提高系统效率，特别适合于消费电子、工业控制以及汽车电子等领域的开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds：30V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：14A
导通电阻Rds(on)：1.8mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷Qg：17nC
总电容Ciss：1290pF
开关时间：ton=11ns，toff=16ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻确保了高效率的能量转换，并减少了发热问题。
2. 高速开关性能使得该器件能够在高频条件下保持较低的损耗。
3. 具备出色的热稳定性，使其能够适应更广泛的温度变化环境。
4. 封装形式紧凑，易于集成到现代电子设备中。
5. 提供稳健的电气保护功能，例如防止静电放电（ESD）的能力较强。
1. 开关电源中的同步整流和主开关应用。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
3. 各类负载开关，用于动态管理电路中的电流流向。
4. 电机驱动器中的功率级控制。
5. 电池管理系统（BMS）中的保护与切换功能实现。
6. 工业自动化设备中的信号调节与功率传输组件。
IRLZ44N, FDP5580, AO3400
