PUMD6,115 时间：2025/9/14 23:01:57 阅读：13

PUMD6,115 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的双极型晶体管阵列（Darlington 阵列），专为高增益、低电压和低饱和压降应用而设计。该器件集成了多个 Darlington 晶体管，适用于需要高电流驱动能力的场合。PUMD6,115 采用 SOT-363 封装，体积小，适合用于表面贴装技术（SMT）的 PCB 设计。其主要特点是具有较高的电流放大系数，适用于低功耗控制和信号处理应用。

参数

晶体管类型：NPN Darlington 阵列
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极电流（IC）：最大 100mA
　　功率耗散（PD）：最大 300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-363（TSSOP）
　　增益（hFE）：最小 20000（典型值可达 50000）
　　输入电阻（Rin）：约 50kΩ
　　饱和压降（VCE(sat)）：最大 0.3V（在 IC=100mA 时）

特性

PUMD6,115 是一个集成 Darlington 晶体管阵列，具有极高的电流增益，适用于需要高灵敏度和低输入电流的应用场景。其内部结构由多个 NPN Darlington 对管组成，每个晶体管都具有高达 20000~50000 的电流放大倍数，使得该器件能够在极小的输入信号下驱动较大的负载电流。
　　该器件的封装形式为 SOT-363，是一种超小型封装，适合高密度 PCB 布局。其低饱和压降（VCE(sat) 最大 0.3V）特性使其在开关应用中功耗较低，有助于提高系统的整体效率。此外，该器件的工作温度范围宽，从 -55°C 到 +150°C，适合工业级和汽车电子应用。
　　由于其集成化设计，PUMD6,115 可以有效减少外围电路元件的数量，简化电路设计，并提高系统的可靠性。适用于继电器驱动、LED 显示控制、低电压电机控制、传感器接口电路等应用场景。

应用

PUMD6,115 广泛应用于需要高增益和低电压控制的电子系统中。常见应用包括：继电器或固态继电器的驱动电路、LED 显示屏的行/列扫描控制、低功耗电机控制、传感器信号放大、数字逻辑电路中的缓冲/驱动级、以及工业自动化控制系统中的小型执行器控制。
　　此外，由于其高集成度和小封装特点，PUMD6,115 也常用于便携式设备、消费类电子产品、车载电子模块以及智能家电等产品中。