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IXFT13N100 发布时间 时间：2024/9/24 10:23:02 查看 阅读：272

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参数

类别：分离式半导体产品
　　家庭：MOSFET，GaNFET-单
　　系列：HiPerFET?
　　FET型：MOSFET N通道，金属氧化物
　　FET特点：标准型
　　开态Rds（最大） Id,Vgs 25°C：900毫欧 500mA,10V
　　漏极至源极电压(Vdss)：1000V(1kV)
　　电流-连续漏极(Id) 25°C：12.5A
　　Id时的Vgs(th)（最大）：4.5V 4mA
　　闸电荷(Qg) Vgs：155nC 10V
　　在Vds时的输入电容(Ciss)：4000pF 25V
　　功率-最大：300W
　　其它名称：Q2093962

封装参数

安装类型：表面贴装
　　封装/外壳：TO-268
　　包装：管件

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IXFT13N100参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)1000V（1kV）
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C900 毫欧 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）4.5V @ 4mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs155nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4000pF @ 25V
  • 功率 - 最大300W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
  • 供应商设备封装TO-268
  • 包装管件
  • 其它名称Q2093962

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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