THBT200S 时间：2025/7/23 10:23:02 阅读：6

THBT200S是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的双极型功率晶体管（BJT），主要用于高功率开关和放大应用。该晶体管采用TO-220封装，具备良好的热稳定性和电流承载能力，适用于工业控制、电源管理和电机驱动等领域。

参数

类型：双极型晶体管（BJT）
　　结构：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：15A
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：100V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：100V
　　最大功耗（Ptot）：125W
　　增益（hFE）：5000（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

THBT200S具备高电流放大倍数（hFE），可在宽温度范围内稳定工作，适合需要高增益的应用场合。
　　其高耐压能力（100V Vce和Vcb）使其适用于高压电路设计，同时具备良好的抗过载能力。
　　TO-220封装提供了良好的散热性能，确保在高功率工作下的稳定性。
　　THBT200S还具备较低的饱和压降（Vce_sat），有助于提高能效并减少热量产生。
　　该晶体管符合RoHS环保标准，适用于环保型电子产品设计。

应用

THBT200S广泛应用于电机驱动、继电器控制、高功率开关电源、逆变器、UPS系统、工业自动化控制和汽车电子系统等领域。
　　在电机驱动中，THBT200S能够提供稳定的高电流输出，确保电机运行的可靠性。
　　在开关电源和逆变器中，它可作为主开关器件，实现高效的能量转换。
　　此外，THBT200S也可用于音频放大器等模拟电路中，提供良好的信号放大性能。