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IS43LR32160B-6BLI-TR 发布时间 时间:2025/9/1 15:45:31 查看 阅读:8

IS43LR32160B-6BLI-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件具有32位数据宽度和16Mbit的存储容量,采用高性能CMOS技术制造,适用于需要高速数据存取和低功耗设计的应用场景。

参数

容量:16Mbit(512K x 32)
  电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:6ns
  封装类型:TSOP
  温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  引脚数:54

特性

IS43LR32160B-6BLI-TR SRAM芯片具有多项优异特性,包括高速访问时间(低至6ns),确保系统在高频运行下的数据存取效率;工作电压范围较宽(2.3V至3.6V),增强了其在不同电源环境下的适应性;其异步控制逻辑适用于不需要时钟同步的系统设计,降低了电路设计复杂度。此外,该芯片采用CMOS技术,功耗较低,适合对功耗有严格要求的应用。其工业级温度范围(-40°C至+85°C)使其适用于工业和嵌入式系统环境。TSOP封装形式则有助于提高电路板的空间利用率,并增强芯片的散热性能。

应用

该芯片广泛应用于网络设备、工业控制系统、嵌入式系统、通信设备、视频处理设备以及需要高速数据存储和临时缓存的场合。此外,IS43LR32160B-6BLI-TR 也适用于便携式仪器和测试设备,尤其在对速度和功耗有平衡需求的设计中表现出色。

替代型号

IS43LV32160B-6BLI-TR, CY7C1380C-6B4I, IDT71V43S16160B-6BLI

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IS43LR32160B-6BLI-TR参数

  • 制造商ISSI
  • 封装Reel
  • 工厂包装数量2500