UMG2 N TR 时间：2025/12/25 13:45:24 阅读：11

UMG2 N TR是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道MOSFET晶体管，采用小型SOT143B封装（也称为SC-70），广泛应用于便携式电子设备中的电源管理、信号切换和负载开关等场景。该器件以其小尺寸、低导通电阻和高开关速度著称，适合对空间要求极为严格的现代电子产品设计。UMG2 N TR基于先进的Trench MOSFET技术制造，能够在低电压条件下实现高效的功率控制，支持逻辑电平驱动，兼容现代微控制器的输出信号。由于其无铅、符合RoHS标准的环保特性，该器件适用于消费类电子产品、通信设备、物联网终端以及工业控制模块等多种应用领域。作为一款表面贴装型器件，UMG2 N TR可通过自动化贴片工艺进行高效组装，提升生产效率并降低制造成本。

参数

型号：UMG2 N TR
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装/包装：SOT143B (SC-70)
　　漏源电压(Vdss)：20V
　　栅源电压(Vgs)：±8V
　　连续漏极电流(Id)：500mA @ 25°C
　　脉冲漏极电流(Idm)：1.4A
　　导通电阻(Rds(on))：370mΩ @ Vgs=4.5V；450mΩ @ Vgs=2.5V
　　阈值电压(Vgs(th))：0.6V ~ 1.2V
　　输入电容(Ciss)：19pF @ Vds=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　热阻抗(Junction-to-Ambient, RthJA)：400 K/W
　　导通延迟时间(td(on))：8ns
　　关断延迟时间(td(off))：15ns

特性

UMG2 N TR具备优异的电气性能与紧凑的物理尺寸，是便携式和高密度PCB设计的理想选择。其核心优势在于采用了Nexperia先进的TrenchMOS工艺，这种结构能够有效降低单位面积下的导通电阻，从而在有限的空间内提供更高的电流承载能力。该器件的低Rds(on)特性意味着在导通状态下功耗更低，有助于提高系统整体能效，减少发热问题，特别适用于电池供电设备以延长续航时间。
　　该MOSFET支持逻辑电平驱动，仅需2.5V至4.5V的栅极电压即可实现充分导通，因此可直接由3.3V或1.8V逻辑IC（如MCU、GPIO控制器）驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。其较低的输入电容（Ciss仅为19pF）使得开关过程中的驱动功率需求极小，进一步降低了动态损耗，提升了高频开关应用中的效率表现。
　　此外，UMG2 N TR具有良好的热稳定性和可靠性，在结温高达150°C的情况下仍能保持正常工作，满足严苛环境下的运行要求。器件内部的沟道设计优化了载流子迁移路径，减小了米勒效应影响，增强了抗噪声干扰能力，避免因寄生振荡导致的误触发现象。SOT143B封装不仅体积小巧（典型尺寸约2mm x 1.25mm），还具备较好的机械强度和焊接可靠性，适合回流焊工艺，并能在振动或冲击环境中保持稳定的电气连接。

应用

UMG2 N TR常用于各类小型化电子系统的电源开关、LED驱动、信号路由及负载控制等场合。典型应用包括智能手机和平板电脑中的背光调节电路、耳机插拔检测开关、传感器使能控制、无线模块的电源启停管理等。在物联网设备中，它可用于低功耗模式下的外设断电控制，以实现节能目标。此外，该器件也适用于可穿戴设备中的电源多路复用、电池充电路径切换以及USB接口的过流保护辅助控制。
　　在工业领域，UMG2 N TR可用于PLC模块中的数字输出通道、继电器驱动缓冲级或隔离式信号传输单元。由于其快速开关响应能力，还可作为高频PWM信号的调制开关，用于直流电机的速度控制或音频信号的斩波处理。在测试测量仪器中，该MOSFET可用于自动校准电路中的参考源切换，确保测量精度不受长时间通电漂移的影响。
　　得益于其高集成度和低静态功耗特性，UMG2 N TR也被广泛应用于智能家居设备，例如智能门锁的电磁阀驱动、温控器的阀门控制回路以及环境监测节点的周期性唤醒机制中。同时，它还可作为防反接保护电路的一部分，防止电池反接损坏敏感电路元件。总之，凡是需要微型化、低功耗、高可靠性的开关控制场景，UMG2 N TR都是一种极具竞争力的解决方案。