时间：2025/9/1 14:05:36
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IS61LPS204818B-200B3L-TR是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）设计制造的高速、低功耗SRAM（静态随机存取存储器）。该SRAM芯片的容量为2Mbit（256K x 8或128K x 16），采用同步架构，适用于需要快速数据访问和低功耗操作的嵌入式系统和通信设备。
容量：2Mbit（256K x 8或128K x 16）
电源电压：1.7V - 3.6V（低功耗设计）
访问时间：200MHz（同步模式）
封装类型：BGA（Ball Grid Array）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据宽度：8/16位可配置
时钟频率：最大200MHz
封装尺寸：54-ball BGA
IS61LPS204818B-200B3L-TR是一款高性能、低功耗的同步SRAM芯片，具备出色的稳定性和可靠性。其同步架构使其在高速数据传输中表现出色，适用于网络设备、工业控制、图像处理和通信系统等应用。该芯片采用先进的CMOS制造工艺，能够在宽电压范围内稳定工作（1.7V至3.6V），适应多种电源设计需求。
其高速访问时间为200MHz，支持快速的数据读写操作，适用于对时间敏感的应用场景。同时，该芯片的封装形式为54-ball BGA，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。工作温度范围为-40°C至+85°C，支持工业级应用环境。
此外，该SRAM芯片的数据宽度可配置为8位或16位，增强了其在不同系统架构中的适用性。其低功耗特性使其非常适合用于电池供电设备和需要节能设计的系统。整体来看，IS61LPS204818B-200B3L-TR是一款在性能、功耗和可靠性方面表现优异的SRAM芯片。
该芯片广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、网络路由器和交换机、图像处理设备、通信模块以及各种需要高速缓存或临时数据存储的场景。其低功耗和高速特性使其在便携式设备和高性能计算系统中也具有良好的适应性。
IS61WVS204818B-200BLL-TR, CY7C1380D-200BZC, IDT71V416S200B8YG
