时间：2025/6/19 4:08:18
阅读：3
UMG11NTR 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件通常用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和其他需要高效开关和低导通损耗的应用。它具有较低的导通电阻和快速的开关速度，能够提供高效率和稳定的性能。
该器件采用 TO-263 (DPAK) 封装形式，适合表面贴装技术（SMT），并且具备良好的散热性能。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：5.8A
导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总功耗：25W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 低导通电阻 Rds(on)，可以降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用。
3. 高雪崩能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 具备抗静电保护功能（ESD Protection），提高了器件的耐用性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
6. 表面贴装封装（TO-263），简化了 PCB 设计和制造过程。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的开关元件。
4. LED 驱动器中的负载开关。
5. 电池管理系统（BMS）中的保护开关。
6. 各种消费类电子设备中的负载控制开关。
UMG11NTD, IRF540N, AO3400
