时间：2025/4/28 11:09:03
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TPHR8504PL1,LQ(M) 是一款高性能的 N 沯道逻辑电平场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于功率转换、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的制程技术，具备低导通电阻和高效率的特点，同时封装形式紧凑，便于在空间受限的设计中使用。
TPHR8504PL1,LQ(M) 的设计使其能够在较低的栅极驱动电压下实现高效的导通性能，从而适合电池供电设备和其他对能耗敏感的应用。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：2.7A
导通电阻（典型值）：65mΩ
栅极-源极电压：±20V
工作结温范围：-55℃ to 150℃
封装类型：SOT-23
TPHR8504PL1,LQ(M) 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低功率损耗，提高系统效率。
2. 支持低至 2.5V 的栅极驱动电压，非常适合便携式设备和锂电池供电的应用。
3. 小型 SOT-23 封装，节省 PCB 空间。
4. 高雪崩能力和强健的短路耐受能力，增强系统的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 良好的热稳定性，可在较宽的温度范围内稳定运行。
TPHR8504PL1,LQ(M) 可用于多种电力电子领域：
1. 开关电源中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的开关元件。
3. 电池管理与保护电路。
4. 电机控制与驱动电路。
5. 各类负载开关和保护电路。
6. 消费类电子产品中的功率管理模块。
7. 工业自动化及通信设备中的功率调节部分。
TPHR8502PL1,LQ(M), TPHR8506PL1,LQ(M)
