SEMIX202GB17E4S是一种高性能的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于电力电子领域,如逆变器、电机驱动、可再生能源系统和电动汽车等。该模块由Semikron公司生产,采用了先进的封装技术和半导体芯片技术,确保了模块的高可靠性和高效能。该模块设计用于高功率密度应用,具备低导通压降和低开关损耗的特点。
类型:IGBT模块
集电极-发射极电压(Vce):1700V
额定集电极电流(Ic):200A
封装类型:双列直插式封装(DIP)
工作温度范围:-40°C至+150°C
短路耐受能力:支持
最大工作频率:可达20kHz
热阻(Rth):低热阻设计
绝缘等级:增强型绝缘
SEMIX202GB17E4S模块采用了Semikron的SKiiP(无引线内部压接技术)封装技术,提供了卓越的热性能和机械稳定性。该模块的内部设计优化了电流分布,减少了寄生电感,从而降低了开关损耗并提高了系统的整体效率。此外,该模块具备较高的短路耐受能力,可以在极端工作条件下提供额外的保护。模块内部集成了温度传感器,便于实现精确的温度监控和保护功能。该模块的高集成度设计简化了系统的布局,并减少了外部元件的数量,从而提高了系统的可靠性。
SEMIX202GB17E4S模块适用于多种高功率应用场合,包括工业电机驱动、逆变器系统、可再生能源系统(如太阳能逆变器)、电动汽车充电设备以及电力储能系统。其高可靠性和高效能特性使其成为现代电力电子系统中的关键组件。
SEMiX201GB17E4S, SEMiX302GB17E4S