容量：4.7μF
　　额定电压：50V
　　公差：±10%
　　工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
　　尺寸：2220mil (约5.6mm x 5.6mm)
　　介质材料：X7R
　　ESR：≤0.1Ω (典型值，视频率而定)
　　高度：最大1.25mm
　　封装形式：卷带式

UMF212B7473KGHT 具备以下显著特性：
　　1. 高温度稳定性：X7R 介质确保电容值在宽温度范围内变化小于 ±15%。
　　2. 小型化设计：紧凑的封装适合空间受限的应用场景。
　　3. 高可靠性：通过了严格的 AEC-Q200 测试标准，能够在极端环境下长期可靠运行。
　　4. 良好的抗振动和冲击性能：陶瓷材料结构增强了器件的机械强度。
　　5. 稳定的直流偏置特性：即使在施加直流电压时，容量下降幅度也较小，保证了电路性能的稳定性。
　　6. 自愈性：当发生局部击穿时，可以通过内部机制自我修复，延长使用寿命。
　　7. 广泛的工作温度范围：支持从低温到高温的全范围操作，非常适合汽车和工业领域。

UMF212B7473KGHT 主要应用于以下领域：
　　1. 汽车电子系统：包括发动机控制单元（ECU）、车载信息娱乐系统、ADAS（高级驾驶辅助系统）等。
　　2. 工业设备：如变频器、伺服控制器、PLC 和工业计算机。
　　3. 通信设备：基站、路由器和交换机中的电源管理模块。
　　4. 消费类电子产品：高端音响设备、游戏主机以及其他需要高稳定性的产品。
　　5. 医疗设备：监护仪、超声波设备等对可靠性要求极高的医疗仪器。
　　该电容器在上述应用中主要起到滤波、去耦、储能和信号耦合作用，确保系统的正常运行。

UMF212B7473KGLT
　　UMF212B7473KGJT
　　UMF212B7473KGNT