型号：AL02BT1N4
　　制造商：Toshiba
　　器件类型：光电晶体管输出光耦
　　引脚数：4
　　封装类型：DIP-4
　　隔离电压（Viso）：5000 VRMS（有效值）
　　正向电流（IF）：50 mA（最大值）
　　集电极-发射极电压（VCEO）：35 V
　　发射极-集电极电压（VECO）：6 V
　　集电极电流（IC）：50 mA
　　功耗（PD）：150 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +110°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　电流传输比（CTR）：50% ~ 600%（在 IF = 5mA, VCE = 5V 条件下）
　　上升时间（tr）：3 μs（典型值）
　　下降时间（tf）：3 μs（典型值）
　　绝缘电阻（IR）：≥ 10^11 Ω
　　输入-输出电容（Cio）：0.8 pF（典型值）

AL02BT1N4 具备出色的电气隔离性能，其最大隔离电压可达 5000 VRMS，能够在高压与低压电路之间提供可靠的安全屏障，有效防止因电压突变、雷击或接地环路引起的损坏。该光耦采用 GaAs 红外 LED 作为输入端光源，具有低驱动电流需求和长寿命特点，在 5mA 的正向电流下即可实现有效的光信号激发，适合与微控制器、逻辑门电路等低功率器件直接接口。输出端为 NPN 光敏晶体管结构，具备良好的线性响应特性，可用于模拟信号隔离或数字开关应用。其电流传输比（CTR）范围宽达 50% 至 600%，意味着在相同输入电流条件下，不同批次或工作状态下仍能保持较高的信号传递效率，提升了系统的兼容性和稳定性。
　　该器件的工作温度范围覆盖 -55°C 到 +110°C，适应极端环境下的工业与汽车应用需求。同时，AL02BT1N4 具有较低的输入-输出电容（典型值仅为 0.8pF），有助于减少高频噪声耦合，提高共模瞬态抗扰度（CMTI）。其封装形式为标准 DIP-4，便于手工焊接和自动化装配，广泛用于 PCB 板级设计。器件还通过了 UL、CSA 和 VDE 等国际安全认证，确保在医疗设备、工业自动化、电力监控等高安全性要求领域中的合规使用。此外，产品采用无卤素材料制造，符合 RoHS 和 REACH 环保规范，支持绿色电子产品设计。

AL02BT1N4 被广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中。在开关电源（SMPS）中，它常用于反馈回路中，将次级侧的电压调节信号传送到初级侧的 PWM 控制器，实现闭环稳压的同时保持高低压隔离。在工业控制系统中，如 PLC 输入/输出模块、继电器驱动电路和电机控制单元，该光耦可用于隔离现场传感器信号与中央处理单元，避免强电干扰导致误动作或系统崩溃。在通信接口方面，AL02BT1N4 可用于 RS-232、RS-485 等串行通信线路的信号隔离，提升数据传输的稳定性和抗干扰能力。
　　此外，该器件也适用于逆变器、UPS（不间断电源）、电池管理系统（BMS）和电表等电力电子设备中，用于状态检测、故障保护信号传输等关键环节。在医疗电子设备中，由于对患者安全有严格要求，AL02BT1N4 提供的高隔离电压能够保障操作人员和患者的用电安全。其紧凑的 DIP-4 封装也使其易于集成到空间受限的设计中。无论是用于数字信号隔离还是小信号模拟传输，AL02BT1N4 凭借其高可靠性、宽工作温度范围和良好的 CTR 特性，成为众多工程师在隔离方案中的首选器件之一。

TLP521-1,TLP781,PC817X1NIP0F,EL817,HCPL-2731