CGA3E2C0G1H121JT0Y0N 是一款高性能的存储芯片,主要应用于需要大容量和高可靠性的数据存储场景。该芯片采用先进的制造工艺,具备低功耗、高速读写和长寿命等特点。它适用于工业控制、通信设备、医疗设备以及汽车电子等领域。
该型号属于 NAND Flash 存储器系列,具有强大的纠错能力和数据保护机制,能够确保在恶劣环境下稳定运行。此外,其封装形式为 BGA(球栅阵列),有助于提高信号传输效率并减少电磁干扰。
类型:NAND Flash
容量:128Gb (16GB)
接口:Toggle Mode 2.0
工作电压:2.7V - 3.6V
数据保留时间:超过10年
擦写次数:3000次
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:BGA
引脚数:169
尺寸:16mm x 12mm x 1.2mm
CGA3E2C0G1H121JT0Y0N 提供了卓越的数据存储性能,支持高达 400MT/s 的传输速率,同时内置 ECC(错误检查与纠正)引擎以提升数据完整性。
该芯片还集成了多种功能模块,例如坏块管理、磨损均衡算法以及断电保护机制,从而延长使用寿命并降低故障率。
此外,其低功耗设计使其非常适合对能效要求较高的应用场合,例如便携式设备或电池供电系统。
由于采用了 BGA 封装,该芯片不仅减小了 PCB 占用面积,还增强了散热性能和电气连接可靠性。
CGA3E2C0G1H121JT0Y0N 广泛应用于以下领域:
1. 工业自动化控制系统中的固态存储解决方案。
2. 通信基站及网络设备中的日志记录与固件存储。
3. 医疗成像设备中的图像和诊断数据保存。
4. 汽车信息娱乐系统和驾驶辅助系统的数据存储。
5. 嵌入式计算平台中的扩展存储介质。
6. 物联网终端节点的本地数据缓存。
总之,这款芯片凭借其高容量、高可靠性和低功耗的特点,成为众多关键任务应用的理想选择。
CGA3E2C0G1H121JTA0Y0N
CGA3E2C0G1H121JT0Z0N
CGA3E2C0G1H121JTB0Y0N