FHW1210IF561KST 时间：2025/4/28 12:00:00 阅读：3

FHW1210IF561KST是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，能够显著提升电路效率并降低功耗。
　　该型号属于N沟道增强型MOSFET，优化设计使其在高频开关应用中表现出色，同时具备出色的热稳定性和可靠性。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-252 (DPAK)
　　最大漏源电压Vds：120V
　　最大栅源电压Vgs：±20V
　　最大连续漏极电流Id：10A
　　导通电阻Rds(on)：5.6mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　总功耗Ptot：Tj：-55℃至+175℃
　　结电容Ciss：1350pF（典型值）
　　栅极电荷Qg：49nC（典型值）

特性

FHW1210IF561KST具有以下关键特性：
　　1. 极低的导通电阻Rds(on)，可有效降低导通损耗。
　　2. 快速开关性能，支持高频应用。
　　3. 高击穿电压确保了其在高压环境下的可靠运行。
　　4. 内置ESD保护，增强了抗静电能力。
　　5. 小型化封装设计，节省PCB空间。
　　6. 符合RoHS标准，绿色环保。
　　这些特性使得该MOSFET非常适合用于需要高效能和紧凑设计的应用场景。

应用

FHW1210IF561KST主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
　　2. DC/DC转换器中的高频开关元件。
　　3. 电机驱动电路中的功率控制器件。
　　4. 负载开关和保护电路。
　　5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
　　6. 汽车电子系统中的电源管理部分。
　　由于其卓越的性能，这款MOSFET在各种工业、消费类及汽车电子应用中都得到了广泛应用。