电容：15pF
　　容差：±0.1pF
　　额定电压：16V DC
　　温度特性：C0G (NP0)
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装尺寸：0402 (1.0mm x 0.5mm)
　　介质材料：Ceramic (C0G/NP0)
　　产品类型：多层陶瓷电容器 (MLCC)
　　安装类型：表面贴装 (SMD)
　　厚度：0.5mm
　　尺寸代码：1005
　　直流偏压特性：无明显电容下降
　　老化率：≤ ±0.1% / decade
　　绝缘电阻：≥ 1000 MΩ 或 ≥ 100 MΩ·μF（取较大值）
　　耐焊接热：符合JIS C 5002标准
　　ESR：极低
　　ESL：极低

UMF1C150MDD的最大特性之一是其采用C0G（也称为NP0）介质材料，这种材料提供了极高的电容稳定性，无论是在温度变化、电压波动还是时间推移的情况下，电容值几乎不会发生改变。C0G材料的温度系数非常接近于零，通常在-55°C到+125°C的整个工作温度范围内，电容的变化率不超过±30ppm/°C，这意味着它在极端环境条件下依然能够保持精准的电容值，非常适合对频率稳定性要求极高的应用，如石英晶体振荡器、PLL环路滤波器和射频匹配网络。
　　此外，该电容器具有极低的介电损耗，即损耗角正切（tanδ）非常小，通常小于0.1%，这使得它在高频信号路径中能够最大限度地减少能量损失，提升系统效率。由于没有铁电材料的存在，C0G电容器不会出现电压依赖性电容下降的现象，即使在接近额定电压下工作，其电容值也保持恒定，这一点与X7R或Y5V等高介电常数材料制成的电容器形成鲜明对比。
　　在机械和结构方面，UMF1C150MDD采用先进的多层陶瓷制造工艺，内部电极采用贵金属材料（如镍或钯银合金），确保了长期使用的可靠性和耐久性。其0402小型封装不仅节省PCB空间，还能降低寄生电感，有助于在GHz级高频电路中实现更优的阻抗匹配。同时，该器件经过严格的湿度敏感等级（MSL1）测试，可在常温常湿环境下长时间存储而不影响焊接质量，适用于回流焊和波峰焊等多种表面贴装工艺。
　　另一个重要特性是其优异的抗老化能力。普通高介电常数陶瓷电容器会随着时间推移发生电容值缓慢下降的现象（称为“老化”），而C0G材质的UMF1C150MDD几乎不发生老化，电容值可长期保持稳定，极大提升了设备的长期可靠性。此外，其高绝缘电阻和低漏电流特性也使其适用于高阻抗电路和精密模拟前端设计。

UMF1C150MDD因其卓越的稳定性、低损耗和高频性能，被广泛应用于多种高性能电子系统中。在射频（RF）和无线通信领域，它常用于LC振荡电路、天线匹配网络、滤波器和谐振电路中，作为关键的调谐元件，确保信号频率的精确性和稳定性。例如，在手机、Wi-Fi模块、蓝牙设备和物联网（IoT）终端中，该电容器可用于射频前端模块（FEM）或功率放大器（PA）的偏置和耦合电路，以维持信号完整性。
　　在时钟和定时电路中，UMF1C150MDD常与石英晶体谐振器配合使用，作为负载电容的一部分，帮助设定晶振的工作频率。由于其电容值高度稳定，能够显著提高实时时钟（RTC）和微控制器系统时钟的精度，避免因温度漂移导致的时间误差。
　　此外，该器件也适用于精密模拟电路，如运算放大器反馈网络、有源滤波器和ADC/DAC参考电压旁路电路，其中对电容的线性度和稳定性要求极高。在汽车电子系统中，如高级驾驶辅助系统（ADAS）、车载信息娱乐系统和传感器接口电路中，UMF1C150MDD能够在宽温度范围内可靠运行，满足AEC-Q200等车规级可靠性标准。
　　工业控制、医疗电子和测试测量设备也是其典型应用场景。例如，在示波器、频谱分析仪和信号发生器中，该电容器用于构建高Q值谐振电路或精密RC网络，确保测量结果的准确性。由于其符合RoHS和无铅焊接要求，也适用于绿色电子产品设计。

GRM155C81C150FA01D
　　CC0402JRNPO9BN150
　　CL2010C0G1C150F