时间：2025/7/4 1:28:51
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TD817BSLT1-FGV是一款高性能的N沟道MOSFET功率晶体管，采用TO-263封装形式。它适用于多种电源管理及开关应用，例如DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够在高频工作条件下提供高效能表现。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：5.5A
导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：9nC（典型值）
总功耗：110W
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 低导通电阻设计，能够有效降低功率损耗，提升整体系统效率。
2. 快速开关速度，适合高频操作环境，减少开关损耗。
3. 高电流处理能力，支持高达5.5A的连续漏极电流。
4. 具备出色的热稳定性，可在较宽的工作温度范围内可靠运行。
5. 封装形式为TO-263，易于安装且散热性能优越。
6. 提供过热保护功能，增强系统的安全性。
该型号广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器和充电器。
2. DC-DC转换器中的同步整流或降压/升压拓扑。
3. 电池管理系统（BMS），用于保护电路或负载切换。
4. 电机驱动电路，特别适用于小型直流电机控制。
5. 各种负载开关应用场景，如汽车电子设备或消费类电子产品。
IRF530NPBF, FQP50N06L
