时间：2025/6/3 13:59:12
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SFM-115-L1-L-D-K-TR 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频和高效率应用场景设计。该型号适用于电源管理、射频放大器以及高速开关电路等领域。其封装形式为表面贴装类型，能够提供出色的热性能和电气性能。
这款晶体管的主要特点包括低导通电阻、快速开关速度和高击穿电压，非常适合对能效要求较高的应用环境。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：15A
导通电阻：7mΩ
栅极电荷：80nC
开关频率：最高可达5MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：表面贴装
SFM-115-L1-L-D-K-TR 具有以下显著特性：
1. 高效的氮化镓（GaN）技术，确保了低导通电阻和快速开关能力。
2. 支持高达5MHz的开关频率，适合高频应用场合。
3. 封装设计优化了散热路径，从而提高了器件在高温环境下的稳定性。
4. 提供卓越的抗电磁干扰性能，减少了外部噪声对系统的影响。
5. 内置保护机制，如过流保护和短路保护，增强了可靠性。
该型号广泛应用于多种领域：
1. 开关模式电源（SMPS），用于提高转换效率。
2. 射频功率放大器，在通信设备中提供稳定输出。
3. 电机驱动电路，支持快速动态响应和高精度控制。
4. 太阳能逆变器，实现高效能量转换。
5. 数据中心电源解决方案，降低整体能耗。
SFM-115-H2-L-D-K-TR, SFM-120-L1-L-D-K-TR
