UMF107B7223MAHT 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于功率转换和开关电路中。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于多种工业和消费类电子设备。
该型号是专门针对高效能应用设计的 N 沟道增强型 MOSFET,其封装形式为 TO-263 (DPAK),适合表面贴装技术(SMT)。这种封装方式使其在高密度电路板上能够更方便地进行集成和散热管理。
最大漏源电压:70V
连续漏极电流:4.8A
导通电阻:50mΩ
栅极电荷:18nC
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-263 (DPAK)
功耗:12W
UMF107B7223MAHT 的主要特点是低导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。
此外,它还具备快速开关速度,从而减少了开关损耗,在高频开关应用中表现优异。
该器件还具有较低的输入电容和输出电容,进一步提升了开关性能。
由于采用了 TO-263 封装,该元件具备良好的热性能,可以有效将热量散发到 PCB 上,从而延长使用寿命。
该 MOSFET 还具备较高的雪崩能量能力,能够在过载条件下提供额外的保护。
UMF107B7223MAHT 广泛用于各种需要高效功率转换的应用场景。
典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池充电器以及 LED 驱动器等。
在消费电子产品中,它可以用于笔记本电脑适配器、手机快充模块和其他便携式设备的电源管理系统。
在工业领域,该器件适用于工业自动化控制、太阳能逆变器以及通信电源等对可靠性要求较高的场合。
UMF107B7223MAHTR, IRF740, FQP16N06L