时间：2025/8/14 2:19:00
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HFM107是一种高频功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于高频开关和功率放大电路中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优良的热性能，适用于各种高频电源转换器、射频（RF）放大器和电机驱动应用。HFM107一般采用TO-220或DPAK等封装形式，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：约50A（在25°C）
最大漏源电压（VDS）：100V
导通电阻（RDS(on)）：约0.022Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：约50nC
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-220、D2PAK等
最大功率耗散（PD）：约150W
HFM107的主要特性之一是其优异的导通性能，低RDS(on)能够显著降低导通损耗，提高电源转换效率。此外，该器件的高开关速度使其适用于高频应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸并提高系统的整体响应速度。
该MOSFET还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适合工业级和汽车电子应用。其高耐压特性（100V VDS）允许在多种电压条件下使用，适用于DC-DC转换器、同步整流器、H桥电机驱动和高频逆变器等场景。
HFM107的栅极驱动要求较低，通常只需要4V至10V的栅极电压即可实现完全导通，兼容多种驱动电路设计。此外，其内部结构优化减少了开关过程中的能量损耗，提升了整体系统效率。
HFM107广泛应用于各种电力电子系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流模块、电机控制器、电源管理系统、高频逆变器以及射频功率放大器等。在汽车电子领域，它常用于车载电源转换器和电动工具的驱动电路中。此外，HFM107也可用于工业自动化设备中的开关电源和马达控制单元。
IRF1010E、FDP1010、SiHF107、FDMS8878、SiHP01N100
