类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：150V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　漏极连续电流(Id)：10A
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　导通电阻(Rds(on))：0.35Ω（最大）
　　封装类型：TO-220F

KTA1504S-GR-RTK/P MOSFET采用先进的平面工艺技术，具有优异的电性能和热稳定性。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流工作条件下较低的功率损耗，从而提高系统的整体效率。此外，该器件具备较高的耐压能力，漏源电压可达150V，适用于中高功率应用。KTA1504S-GR-RTK/P还具有良好的热保护性能，可在高温环境下稳定运行。其TO-220F封装形式不仅提供了良好的散热性能，也便于安装在标准的PCB上。此外，该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频开关电源和PWM控制应用。
　　KTA1504S-GR-RTK/P的栅极驱动电压范围较宽，支持+10V至+20V之间的栅极驱动电压，使其能够与多种控制IC兼容。该器件还具备良好的抗雪崩能力，提高了在高能量瞬态条件下的可靠性。同时，其高输入阻抗特性使得驱动损耗较低，进一步提升了系统的能效。这些综合性能使其成为电源转换、工业控制和消费电子领域的理想选择。

KTA1504S-GR-RTK/P MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、LED照明驱动、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率控制部分。由于其高可靠性和良好的热稳定性，该器件也适用于对散热要求较高的嵌入式系统和汽车电子应用。

IRFZ44N, FDPF1504, FQP15N10L, STP15NF10