类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：20V
　　连续漏极电流（Id）：2.3A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：9.2A
　　栅源击穿电压（Vgs）：±12V
　　导通电阻（Rds(on)）：65mΩ @ Vgs=4.5V, Id=1.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：85mΩ @ Vgs=2.5V, Id=1.5A
　　阈值电压（Vgs(th)）：0.6V ~ 1.2V
　　输入电容（Ciss）：370pF @ Vds=10V
　　输出电容（Crss）：50pF @ Vds=10V
　　反向传输电容（Cres）：45pF @ Vds=10V
　　开启时间（Ton）：9ns
　　关闭时间（Toff）：24ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装：SOT-23

UMD9N具备优异的开关特性，其快速的开启和关闭时间使其非常适合高频开关应用。由于其较低的栅极电荷（Qg）和输入电容，该器件在高速切换过程中所需的驱动能量较小，有助于提高系统的整体效率并减少驱动电路的设计复杂度。其反向传输电容（Crss）较低，能够有效抑制米勒效应，在高dv/dt环境下表现出更强的抗干扰能力，从而提升电路稳定性。
　　该MOSFET的导通电阻表现优异，在Vgs=4.5V时仅为65mΩ，确保在大电流通过时产生较小的功率损耗和温升，特别适用于电池供电设备或对能效要求较高的场合。即使在较低的栅极驱动电压（如2.5V）下，其Rds(on)仍保持在85mΩ以内，说明其具有良好的逻辑电平兼容性，可直接由3.3V或2.5V的微处理器IO口直接驱动，无需额外的电平转换或驱动芯片。
　　热性能方面，尽管SOT-23封装体积小巧，但通过优化芯片结构和封装材料，UMD9N能够在有限的空间内实现有效的热量传导。其最大结温可达+150°C，配合适当的PCB布局（如增加铜箔面积或使用散热焊盘），可显著提升散热效率，延长器件寿命。
　　此外，该器件具有较高的抗静电能力（ESD protection），在生产、运输和装配过程中更耐受静电冲击。其阈值电压范围适中（0.6V~1.2V），避免因过低而导致误触发，也防止过高而难以开启，确保在各种工作条件下都能可靠地开启与关断。

UMD9N常用于低压直流开关电路中，例如便携式电子设备中的负载开关、LED驱动控制、电机驱动模块以及电源管理单元。其小尺寸封装使其成为智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等空间受限产品的理想选择。在电池管理系统中，可用于充放电路径的通断控制，利用其低导通电阻减少能量损耗，延长续航时间。
　　此外，该器件也适用于各类DC-DC转换器拓扑结构，如同步整流降压（Buck）变换器，作为低端开关管参与能量传递过程。在高频率工作的开关电源中，其快速响应能力和低栅极驱动需求有助于提升转换效率并降低电磁干扰（EMI）。
　　在工业自动化领域，UMD9N可用于传感器信号调理电路中的模拟开关，或者作为继电器替代方案实现固态开关功能，提供更长的使用寿命和更高的可靠性。同时，它也被广泛应用于USB接口的过流保护和热插拔控制电路中，凭借其快速响应和精确控制能力，保障后级电路安全。
　　在通信设备中，该MOSFET可用于射频前端模块的偏置电源控制，实现对射频元件的按需供电，达到节能目的。总之，凡是需要小型化、高效能、低成本且支持逻辑电平驱动的N沟道MOSFET应用场景，UMD9N均是一个值得考虑的优选器件。

DMG9923U,MCH3117,SI2302DS,FDMN7616,MMBT3014