型号：HH15N3R0B500LT
　　制造商：Diodes Incorporated
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：15A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：60A
　　导通电阻(RDS(on))：3.0mΩ @ VGS=10V, ID=7.5A
　　导通电阻(RDS(on))：3.8mΩ @ VGS=4.5V, ID=7.5A
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容(Ciss)：2300pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：690pF @ VDS=15V
　　反向传输电容(Crss)：100pF @ VDS=15V
　　栅极电荷(Qg)：28nC @ VGS=10V
　　上升时间(tr)：24ns
　　下降时间(tf)：19ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerDI5060-6L

HH15N3R0B500LT采用了先进的沟槽式场效应晶体管结构，这种设计显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了整体系统的能效。其典型的RDS(on)仅为3.0mΩ（在VGS=10V时），即使在较低的栅极驱动电压下，如4.5V，也能保持较低的导通电阻（3.8mΩ），这使其非常适合用于低压大电流的应用场合，例如同步降压变换器或电池供电系统中的开关元件。器件具备出色的热性能，得益于PowerDI5060-6L封装的设计优化，能够有效将热量从芯片传导至PCB，提升长期运行的稳定性和寿命。该封装还支持双面散热，进一步增强了热管理能力。
　　该MOSFET具有快速的开关响应能力，输入电容和反向传输电容较小，有助于减少驱动功耗并抑制米勒效应引起的误触发问题。其栅极电荷Qg仅为28nC，在高频开关应用中可降低驱动电路的能量消耗，提高电源转换效率。同时，器件具备良好的体二极管反向恢复特性，虽然不如专门的快恢复二极管，但在同步整流配置中仍能提供可接受的表现。
　　HH15N3R0B500LT还具备较强的抗静电放电（ESD）能力，并经过严格的生产测试以确保批次一致性。其栅氧化层经过强化处理，可在±20V的栅源电压范围内安全操作，避免因过压导致的永久性损坏。此外，该器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，意味着它不仅适用于工业和消费类电子，也可用于车载电源系统等严苛环境中。整体而言，这款MOSFET在性能、尺寸和可靠性之间实现了良好平衡，是现代高效电源设计的理想选择之一。

HH15N3R0B500LT主要应用于需要高效率和小体积解决方案的电源系统中。典型应用场景包括同步整流型DC-DC降压转换器，特别是在多相VRM（电压调节模块）中作为下管或上管使用，能够有效降低导通损耗，提升转换效率。该器件也常用于负载开关电路，控制电源路径的通断，广泛见于笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式设备中，用于电池供电系统的电源管理。
　　在电池管理系统（BMS）中，HH15N3R0B500LT可用于充放电控制回路，凭借其低RDS(on)特性，可减少发热并延长电池续航时间。此外，该MOSFET适用于电机驱动电路中的H桥拓扑结构，作为低端或高端开关元件，控制直流电机或步进电机的运转方向与速度。
　　在LED驱动电源中，该器件可用于恒流源的开关调节部分，实现精确的亮度控制。同时，由于其具备良好的高温工作能力，也可部署于工业电源、服务器电源模块及电信设备中的辅助电源电路。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器（OBC）、DC-DC变换器和车身控制模块等子系统，满足汽车级应用对可靠性和耐温性的严格要求。此外，该器件还可用于热插拔控制器、电源冗余切换电路以及各种高密度板载电源方案中，充分发挥其高电流承载能力和优异的热性能优势。

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