时间：2025/12/25 6:13:16
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HD4074418S01是一款由Hynix（现为SK hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，专为高性能计算和数据存储需求设计。这款芯片采用先进的CMOS工艺制造，具有较高的可靠性和稳定性。HD4074418S01属于DRAM存储器类别，适用于需要快速数据访问和大容量存储的应用场景。
容量：4M x 4
组织结构：4M x 4
电源电压：3.3V
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
数据速率：166MHz
访问时间：5.4ns
刷新周期：64ms
功耗：低功耗设计
HD4074418S01具备多种优良特性，包括高容量、高速数据传输和低功耗设计。该芯片的4M x 4组织结构使其能够在有限的空间内提供较大的存储容量，适用于需要高效能存储解决方案的设备。其166MHz的数据速率确保了快速的数据访问，满足高性能应用的需求。
此外，HD4074418S01采用3.3V电源电压，降低了功耗并提高了能效，适合电池供电设备使用。芯片的TSOP封装设计不仅节省空间，还提高了散热性能，确保在高负载下仍能稳定运行。工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于各种严苛环境。
该芯片还支持自刷新模式，能够在不频繁刷新的情况下保持数据完整性，进一步降低功耗。其64ms的刷新周期在保证数据稳定性的同时，减少了系统资源的占用。
HD4074418S01广泛应用于需要高性能存储的设备，如嵌入式系统、工业控制设备、通信设备和消费电子产品。该芯片特别适合用于图像处理、视频存储和高速缓存等场景，能够显著提升设备的运行效率和响应速度。
HY57V641620BHP-6A, MT48LC16M1A2B4-6A
