时间：2025/5/7 13:27:22
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UMD5NTR是一款N通道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它广泛应用于各种电子电路中，包括开关电源、电机驱动、负载开关和DC-DC转换器等。该器件以其低导通电阻和快速开关特性著称，适合需要高效能和低功耗的应用场景。
该MOSFET采用SOT-23封装形式，具有较小的体积和较高的散热性能，非常适合空间受限的设计环境。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：1.4A
导通电阻：1.2Ω
总功耗：480mW
工作温度范围：-55℃ to 150℃
1. 极低的导通电阻使得功率损耗显著降低。
2. 快速开关速度，有助于减少开关损耗并提高系统效率。
3. 高雪崩能力，能够承受过载或短路情况下的能量冲击。
4. SOT-23的小尺寸封装使其适用于便携式设备和其他紧凑型设计。
5. 符合RoHS标准，环保且无铅。
1. 开关电源中的开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流器。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率控制元件。
5. 各类消费电子产品的电源管理模块。
IRLML6401, SI2302DS
