SRF7070SR3 时间：2025/9/3 7:12:18 阅读：8

SRF7070SR3 是一款由 Vishay Siliconix 生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率转换应用。这款器件采用了先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻（RDS(on)），同时具备较高的电流处理能力和热稳定性。SRF7070SR3 采用 TO-263（D2Pak）封装形式，适用于表面贴装工艺，广泛用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统等领域。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：70V
　　最大漏极电流（ID）：14A
　　导通电阻（RDS(on)）：35mΩ（典型值）
　　栅极电压（VGS）：20V
　　功耗（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-263（D2Pak）

特性

SRF7070SR3 的核心特性之一是其低导通电阻（RDS(on)）为 35mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的效率。该器件采用了 Vishay 的沟槽式 MOSFET 技术，实现了较高的电流密度和优异的热性能，从而在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　该 MOSFET 具有高达 14A 的连续漏极电流能力，适用于中高功率应用。其最大漏极电压为 70V，使其能够适应多种电源拓扑结构，包括同步整流、Buck 和 Boost 转换器等。此外，该器件的栅极驱动电压范围为 10V 至 20V，确保在不同驱动条件下都能保持良好的导通性能。
　　SRF7070SR3 采用 TO-263（D2Pak）封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产和高效组装。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于工业级和汽车电子应用中的严苛环境条件。
　　此外，该器件具备出色的雪崩能量耐受能力，能够在异常工作条件下提供额外的保护，从而提高系统的可靠性。其低栅极电荷（Qg）也有助于降低开关损耗，提高高频开关应用的效率。

应用

SRF7070SR3 主要用于各种电源管理和功率控制应用，包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统和工业自动化设备。由于其高电流能力和低导通电阻，它特别适合用于高效率的电源转换系统，如服务器电源、电信设备、便携式充电设备和汽车电子系统。
　　在汽车电子领域，该器件可用于电池管理系统（BMS）、电动助力转向系统（EPS）和车载充电器等应用。在工业控制方面，它可以用于 PLC（可编程逻辑控制器）、伺服电机控制和智能电网设备等场景。此外，由于其良好的热稳定性和宽工作温度范围，SRF7070SR3 也适用于户外设备和极端环境中的电源管理应用。