UMC2N 时间：2025/12/25 11:05:47 阅读：25

UMC2N是一款由友旺科技（UMC, United Microelectronics Corporation）推出的N沟道增强型功率MOSFET器件。该器件专为高效率、高频开关应用设计，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及电池供电设备中。UMC2N采用先进的沟槽栅极制造工艺，具备低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度和良好的热稳定性等特点。其封装形式通常为SOT-23或SOT-323等小型表面贴装封装，适用于空间受限的便携式电子产品。该器件在设计上优化了栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有助于降低驱动损耗并提升系统整体能效。此外，UMC2N具有较高的击穿电压V(BR)DSS，确保在瞬态过压情况下仍能保持可靠工作。作为一款通用型MOSFET，它在消费电子、工业控制和通信设备中均有广泛应用。

参数

型号：UMC2N
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压V(BR)DSS：20V
　　最大栅源电压VGS：±12V
　　连续漏极电流ID（@25℃）：4.6A
　　脉冲漏极电流IDM：18A
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=4.25V）：32mΩ
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=2.5V）：45mΩ
　　栅极阈值电压Vth：0.6V ~ 1.2V
　　栅极电荷Qg（typ）：4.5nC
　　输入电容Ciss（typ）：330pF
　　输出电容Coss（typ）：110pF
　　反向恢复时间trr：未指定（无体二极管优化）
　　工作结温范围Tj：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SOT-23

特性

UMC2N采用先进的沟道设计与沟槽栅技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的能源利用效率。其在VGS=4.25V时的最大RDS(on)仅为32mΩ，在低电压驱动条件下仍能实现优异的导通性能，特别适合用于3.3V或5V逻辑电平直接驱动的应用场景。由于其较低的栅极电荷Qg（典型值4.5nC），该器件能够在高频开关环境中减少驱动电路的能量消耗，进而提升整个电源系统的转换效率。同时，较小的输入电容Ciss（330pF）使其对驱动信号响应更快，有利于缩短开关延迟时间和上升/下降时间，进一步增强了动态性能。
　　该器件具备良好的热稳定性和过载能力，能够在-55℃至+150℃的宽结温范围内稳定运行，适应严苛的工作环境。其封装采用SOT-23小型化设计，不仅节省PCB空间，还具备较好的散热性能，适用于高密度集成的便携式设备如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备等。此外，UMC2N的栅极阈值电压范围为0.6V~1.2V，属于逻辑电平兼容型MOSFET，能够被微控制器或低压驱动IC直接驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。
　　尽管UMC2N未特别优化体二极管的反向恢复特性，但在大多数非连续导通模式（DCM）的开关电源应用中仍可满足基本需求。其高击穿电压（20V）提供了足够的电压裕量，以应对启动瞬间或负载突变时可能出现的电压尖峰。综合来看，UMC2N是一款性价比高、性能稳定的N沟道MOSFET，适用于中小功率电源转换与信号切换场合。

应用

UMC2N广泛应用于各类低电压、小功率电子系统中，常见于便携式消费类电子产品中的电源开关与负载控制，例如手机、MP3播放器、数码相机和电子书阅读器中的背光驱动或模块供电管理。在DC-DC升压或降压转换器中，UMC2N常被用作同步整流开关，以其低导通电阻特性有效降低传导损耗，提高电源转换效率。此外，该器件也适用于电池保护电路，作为充放电通路的控制开关，配合保护IC实现过流、短路和反接保护功能。
　　在电机驱动领域，UMC2N可用于微型直流电机或振动马达的H桥驱动电路中，实现正反转控制与PWM调速。由于其快速的开关响应能力，能够支持高频PWM信号输入，从而实现更精确的速度调节和平滑的启停控制。在通信设备中，UMC2N可用于USB接口的电源开关或热插拔控制，防止电流冲击损坏主控芯片。同时，它也可作为LED驱动电路中的开关元件，用于控制指示灯或闪光灯的开启与关闭。
　　工业控制系统中，UMC2N可用于传感器模块的电源管理，通过MCU控制实现按需供电，降低待机功耗。此外，在智能家居设备如无线门铃、温湿度传感器和智能锁中，UMC2N凭借其小封装和低功耗特性，成为理想的开关元件选择。总之，凡是需要高效、紧凑且低成本的N沟道MOSFET解决方案的应用场景，UMC2N都是一个可靠的选项。