时间：2025/9/2 12:51:33
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TE30N50DE是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高电压和高功率应用，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制和逆变器电路。该MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和高耐压特性，使其在工业和消费类电子产品中广泛应用。
类型：N沟道
最大漏源电压（VDS）：500V
最大漏极电流（ID）：30A
导通电阻（RDS(on)）：0.18Ω（典型值）
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
TE30N50DE功率MOSFET具有多个关键特性，适用于各种高功率和高频应用。首先，其500V的漏源电压额定值使其适用于高压电路设计，确保在高电压环境下仍能稳定运行。其次，该MOSFET的导通电阻（RDS(on)）仅为0.18Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体系统的能效。此外，该器件支持高达30A的漏极电流，适合需要高电流处理能力的电源转换系统。其±20V的栅极电压耐受能力也增强了栅极驱动电路的兼容性，允许使用多种类型的MOSFET驱动器。TE30N50DE采用TO-220封装，具备良好的散热性能，能够在高功率条件下保持较低的工作温度，从而提高器件的可靠性和使用寿命。此外，该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频开关应用，减少开关损耗并提高系统效率。最后，由于其广泛的工作温度范围（-55°C至150°C），TE30N50DE能够在恶劣的环境条件下稳定运行，适用于工业控制、电力电子设备以及消费类电子产品的电源管理模块。
TE30N50DE主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、UPS（不间断电源）、逆变器、工业自动化设备以及家用电器中的功率控制部分。由于其高电压和大电流能力，该MOSFET在需要高效能、高可靠性的电力转换系统中表现优异。
IRF450、FDPF4N50、STP20N50
