UMA5NFSTR是一款N通道增强型MOSFET晶体管,采用小尺寸SOT-23封装形式。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高电流能力等特性,适用于各种便携式设备中的负载开关、电源管理以及电机驱动应用。
其低导通电阻能够减少功率损耗,从而提升效率,并且支持较高的工作电压范围,确保在多种电路环境中稳定运行。
型号:UMA5NFSTR
封装形式:SOT-23
类型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±10V
连续漏极电流(Id):2.4A
导通电阻(Rds(on)):0.8Ω(典型值,在Vgs=4.5V时)
总功耗(Ptot):400mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
UMA5NFSTR的主要特点包括:
1. 低导通电阻设计,降低功耗并提高系统效率。
2. 小巧的SOT-23封装,适合空间受限的应用场景。
3. 快速开关性能,有助于减少开关损耗。
4. 较高的击穿电压(30V),使其可以用于中等电压范围内的电路。
5. 工作温度范围广,可适应多种环境条件下的操作需求。
6. 高可靠性与稳定性,保证长期使用过程中的安全性。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 手机和平板电脑等消费类电子产品的电源管理模块。
2. 笔记本电脑及外部配件中的负载开关控制。
3. 各种DC/DC转换器、LED驱动器和小型电机驱动电路。
4. 电池保护电路与充电管理系统。
5. 其他需要高效、紧凑解决方案的场合。
BSS138, SI2302DS, PMV40UN