M58658P 是一款由东芝(Toshiba)推出的 CMOS 工艺静态随机存取存储器(SRAM),具有高速、低功耗的特点,广泛应用于工业控制、通信设备以及消费类电子产品中。该芯片采用 24 引脚 SOP 封装形式,内部集成了 32K x 8 位的存储单元阵列,能够提供稳定的静态数据存储功能,无需刷新操作即可长期保存数据。
这款 SRAM 芯片支持标准的 TTL 输入输出兼容性,具备快速访问时间与低功耗待机模式,适用于需要高性能和高可靠性的场景。
存储容量:32768字节
工作电压:2.7V至3.6V
待机电流:10uA(典型值)
工作电流:10mA(典型值)
访问时间:55ns(最大值)
封装形式:24引脚 SOP
工作温度范围:-40℃至+85℃
1. 高速访问能力,能够在 55 纳秒内完成数据读写操作,确保系统运行流畅。
2. 内置上电复位电路,在加电时自动清除存储内容,避免数据混乱。
3. 支持部分选通功能,可以单独启用或禁用特定存储区域,降低功耗。
4. 提供完整的 TTL 兼容输入输出接口,方便与其他数字逻辑电路连接。
5. 低功耗设计,尤其在待机模式下,可显著减少能源消耗,适合电池供电应用。
6. 宽工作温度范围,适应多种环境条件下的使用需求。
M58658P 广泛用于需要快速数据存取和稳定性能的场合,例如工业自动化控制系统中的临时数据缓冲区、通信设备中的协议处理缓存、嵌入式系统的程序代码存储以及消费类电子产品的图像处理等任务。
此外,由于其低功耗特性,也常被用作手持设备或便携式仪器的数据暂存单元,如数码相机、打印机、扫描仪等场景中。
M58658L, M58658N