UM7104SM 是一款由 United Monolithic Semiconductors(UMS)设计制造的 GaAs(砷化镓)单片微波集成电路(MMIC),主要用于射频(RF)和微波频率范围内的应用。该芯片是一款低噪声放大器(LNA),在C波段至Ku波段的通信、雷达、测试设备和无线基础设施中具有广泛应用。UM7104SM 设计用于提供高增益和低噪声系数,使其成为前端接收器系统中的理想选择。该器件采用表面贴装封装,便于集成到高频电路中。
工作频率:10 MHz 至 4 GHz
增益:约 17 dB
噪声系数:约 1.5 dB
输出功率(1 dB 压缩点):+10 dBm
工作电压:+5V
工作电流:约 80 mA
封装类型:SMD(表面贴装)
输入/输出阻抗:50Ω
UM7104SM 的核心特性之一是其宽频率覆盖范围,从10 MHz 到 4 GHz,使其适用于多种射频应用。芯片内部集成了一级或多个场效应晶体管(FET)放大级,提供稳定的高增益性能。在低噪声方面,UM7104SM 的噪声系数低至1.5 dB,非常适合用于接收器前端,以提高系统的整体灵敏度。该器件在输出端提供+10 dBm 的1 dB压缩点功率,表明其在保持线性放大特性的同时具备一定的输出能力。此外,UM7104SM 工作电压为+5V,电流消耗约为80 mA,功耗适中,适合便携式和低功耗设备使用。其SMD封装形式支持自动化装配,提高了生产效率。UM7104SM 在宽温度范围内具有稳定的性能,能够在恶劣环境中可靠运行。
UM7104SM 广泛应用于射频和微波系统,尤其是在需要低噪声放大的场景中。其典型应用包括卫星通信系统中的低噪声前端放大器、雷达接收器、测试与测量设备(如频谱分析仪和信号发生器)、宽带通信系统(如WiMAX和微波链路)以及无线基础设施中的信号增强模块。由于其工作频率范围广泛,UM7104SM 也可用于军事和航空航天领域的高频接收系统,提供可靠的信号放大性能。此外,UM7104SM 适用于射频识别(RFID)系统和无线传感器网络,满足现代通信设备对高性能和小型化的需求。
HMC414, ERA-51SM, MAR-6MS+, ATF-54143