型号：CMI100505U1R0KT
　　类型：肖特基势垒二极管
　　封装形式：SOD-123
　　工作温度范围：-55℃ ~ +125℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　最大重复反向电压（VRRM）：20V
　　最大直流反向电压（VR）：20V
　　最大均方根电压（VRMS）：14V
　　最大正向平均整流电流（IO）：1A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：30A
　　最大正向压降（VF）：450mV @ 1A
　　反向漏电流（IR）：0.1mA @ 20V
　　结温（Tj）：+125℃
　　热阻抗（RθJA）：200℃/W
　　安装类型：表面贴装（SMT）

CMI100505U1R0KT具备优异的电学性能与热稳定性，其核心优势在于采用肖特基势垒技术，使得该器件拥有极低的正向导通压降，典型值仅为450mV，在通过1A大电流时仍能保持较低的功耗水平，从而显著提升电源系统的转换效率，并减少散热需求。
　　这种低VF特性特别适合用于电池供电设备或对能耗敏感的应用场合，如移动终端、无线传感器网络和可穿戴设备等。同时，该器件的最大重复反向电压为20V，能够满足多数低压直流系统的防护需求，例如USB供电、单节或多节锂电池管理系统中的反接保护电路。
　　其高达30A的峰值浪涌电流承受能力，使它在面对瞬态过流或启动冲击时具备良好的鲁棒性，增强了整个电路的可靠性。SOD-123小型表面贴装封装不仅节省PCB布局空间，还便于自动化贴片生产，提升了制造效率与一致性。
　　该器件的工作结温可达125°C，结合200°C/W的热阻参数，可在较宽温度范围内稳定运行，适应严苛的环境条件。此外，器件具有快速恢复特性，反向恢复时间极短，几乎无反向恢复电荷，这极大降低了开关过程中的能量损耗，尤其适用于高频开关电源和DC-DC变换器拓扑结构。
　　Comchip对该产品实施严格的品质管控，确保批次间参数一致性高，且符合无铅（Pb-free）和绿色环保标准，支持回流焊和波峰焊等多种SMT工艺，兼容现代电子组装流程。总体而言，CMI100505U1R0KT是一款集高效、紧凑、可靠于一体的高性能肖特基二极管，适用于追求小型化与高能效的设计需求。

CMI100505U1R0KT因其低正向压降、高电流承载能力和小尺寸封装，被广泛应用于各类电子设备中。常见使用场景包括便携式消费电子产品中的电源管理单元，如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机等，用于实现电池充放电路径的隔离与极性反接保护。
　　在DC-DC升压或降压转换电路中，该器件常作为续流二极管或整流元件，利用其快速响应和低损耗特性来提高转换效率，尤其适用于以高频率工作的同步整流替代方案（尽管本身非同步整流器件，但在非同步拓扑中表现优越）。
　　此外，该型号也适用于适配器、充电器、LED驱动电源等小型电源模块中，承担输出整流任务，有效降低发热，提升系统长期运行稳定性。
　　在通信领域，可用于信号线路的钳位保护和静电泄放路径构建，防止高压瞬变损坏后级敏感IC。工业控制系统中的传感器供电模块、微控制器电源入口处也常采用此类器件进行噪声抑制与反向电流阻断。
　　由于其符合RoHS标准并支持无铅焊接，因此非常适合出口型电子产品及符合环保法规的产品设计。总之，凡是需要高效、小型化、低成本整流解决方案的低压直流系统，CMI100505U1R0KT都是一个理想选择。

SS12-S, SB120, MBRS120, MBRM120, BAT54C