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FDMC86102L 发布时间 时间:2025/5/7 16:44:18 查看 阅读:8

FDMC86102L是一款高性能的MOSFET功率晶体管,采用先进的制程技术制造,适用于各种需要高效能开关和低导通电阻的应用场景。该器件具有出色的热稳定性和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
  其封装形式为SOT-23,体积小巧,便于在高密度电路板上使用,同时具备良好的散热性能。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:2.4A
  导通电阻(典型值):70mΩ
  栅极阈值电压:1.2V~2.5V
  功耗:0.43W
  工作温度范围:-55℃~150℃

特性

FDMC86102L的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,在大电流条件下能够显著降低功率损耗。
  2. 快速开关速度,适合高频应用场合。
  3. 高度集成的小型封装设计,节省PCB空间。
  4. 良好的热稳定性,能够在宽温度范围内保持性能一致性。
  5. 优异的抗静电能力,提高了器件的可靠性和耐用性。

应用

该器件适用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器的核心开关元件。
  3. 电池保护电路中的负载开关。
  4. 消费类电子产品如智能手机和平板电脑的电源管理模块。
  5. 各种便携式设备中的信号切换和功率调节功能。

替代型号

FDMC86101L, FDMC86103L

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FDMC86102L参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C23 毫欧 @ 7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs22nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1330pF @ 50V
  • 功率 - 最大2.3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerWDFN
  • 供应商设备封装8-MLP(3.3x3.3)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDMC86102L-NDFDMC86102LFSTR