FDMC86102L是一款高性能的MOSFET功率晶体管,采用先进的制程技术制造,适用于各种需要高效能开关和低导通电阻的应用场景。该器件具有出色的热稳定性和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
其封装形式为SOT-23,体积小巧,便于在高密度电路板上使用,同时具备良好的散热性能。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:2.4A
导通电阻(典型值):70mΩ
栅极阈值电压:1.2V~2.5V
功耗:0.43W
工作温度范围:-55℃~150℃
FDMC86102L的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,在大电流条件下能够显著降低功率损耗。
2. 快速开关速度,适合高频应用场合。
3. 高度集成的小型封装设计,节省PCB空间。
4. 良好的热稳定性,能够在宽温度范围内保持性能一致性。
5. 优异的抗静电能力,提高了器件的可靠性和耐用性。
该器件适用于以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器的核心开关元件。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 消费类电子产品如智能手机和平板电脑的电源管理模块。
5. 各种便携式设备中的信号切换和功率调节功能。
FDMC86101L, FDMC86103L