时间：2025/5/12 13:19:34
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FQB12N60C是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率、低损耗的开关应用中。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和良好的开关性能，适用于高频电源转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
其耐压值为600V，能够在高压环境下可靠工作，并且具备快速开关能力以减少开关损耗。此外，FQB12N60C采用了TO-247封装形式，有助于散热并适合大功率应用场景。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：12A
导通电阻：3.5Ω（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：85nC（典型值）
反向恢复时间：90ns（典型值）
功耗：480W（在指定壳温下）
结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
FQB12N60C具备以下显著特性：
1. 高耐压能力，能够承受高达600V的漏源电压，适用于多种高压电路。
2. 极低的导通电阻，有效降低导通损耗，提升整体系统效率。
3. 快速开关速度，减少开关过程中的能量损耗，特别适合高频开关应用。
4. 良好的热稳定性，能够在高温环境下长时间稳定运行。
5. TO-247封装提供出色的散热性能，确保大电流条件下的可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
FQB12N60C主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率因数校正（PFC）电路。
2. 电机驱动电路，用于控制交流或直流电机的速度和方向。
3. 太阳能逆变器，作为功率转换的关键组件。
4. 各种工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
5. 高频DC-DC转换器，用于提高能源转换效率。
6. 电动汽车充电桩及其他高压电力电子设备。
FQD12N60C, FQA12N60C
