BUZ271 时间：2025/7/8 21:10:12 阅读：11

BUZ271是一种N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效开关和低导通损耗的电路中。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适合于直流电机驱动、电源管理、负载开关等应用领域。其封装形式通常为TO-220，方便散热设计。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：16A
　　导通电阻：0.045Ω
　　栅极阈值电压：2V~4V
　　总功耗：85W
　　工作结温范围：-55℃~150℃

特性

BUZ271的核心优势在于其出色的导通性能和可靠性。它具有以下特点：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低功率损耗。
　　2. 快速的开关速度，能够适应高频应用场景。
　　3. 内置反向二极管，有助于减少开关噪声并保护电路。
　　4. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
　　5. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业要求。
　　BUZ271因其高效率和稳定性，成为许多电力电子设备中的首选元件。

应用

BUZ271适用于多种电力电子场景，包括但不限于：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流或功率级开关。
　　2. 直流电机控制和驱动电路。
　　3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关或保护电路。
　　4. LED驱动器中的功率调节部分。
　　5. 各类消费电子产品中的功率管理模块。
　　由于其高电流承载能力和低导通电阻，BUZ271非常适合用于需要高效能转换的应用场合。