UM15333Y 时间：2025/8/1 20:39:37 阅读：33

UM15333Y 是一款由 United Monolithic Semiconductors（UMS）设计制造的射频（RF）放大器芯片。该芯片基于高电子迁移率晶体管（HEMT）技术，具有卓越的高频性能和稳定性，适用于需要高线性度和低噪声的射频和微波应用。UM15333Y 主要用于通信系统、测试设备和雷达系统中的低噪声放大器（LNA）或中功率放大器。

参数

工作频率范围：2 GHz - 18 GHz
　　增益：典型值21 dB（在10 GHz）
　　输出IP3：典型值29 dBm
　　噪声系数：典型值1.5 dB
　　工作电压：5 V
　　工作电流：典型值150 mA
　　封装类型：SMT（表面贴装技术）

特性

UM15333Y 具有宽频带特性，可在2 GHz至18 GHz范围内稳定工作，适用于多种高频应用场景。该器件采用先进的HEMT技术，提供优异的低噪声性能和高增益，同时具备良好的线性度和热稳定性。此外，UM15333Y 的SMT封装设计便于在印刷电路板（PCB）上安装，适合高密度和高频电路设计。其高输入和输出回波损耗（Return Loss）确保了信号传输的高效性，减少了信号反射带来的干扰。
　　该芯片在设计上优化了匹配网络，减少了外部元件的需求，从而降低了整体系统复杂性和成本。UM15333Y 还具备良好的温度适应性，能够在较宽的温度范围内保持稳定性能，适用于恶劣环境下的高频应用，如航空航天、军事通信和工业测试设备。

应用

UM15333Y 主要应用于无线通信系统、卫星通信、雷达系统、微波测试仪器以及宽带射频接收器前端。作为低噪声放大器或中功率放大器，它在系统中负责提升微弱信号的强度，同时保持较低的噪声引入，确保信号的完整性。此外，UM15333Y 也适用于点对点微波通信、毫米波探测和高速数据传输设备等需要高性能射频放大能力的场合。