时间：2025/12/28 20:50:57
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ATV50C600JB-HF 是一款由 Microchip Technology 推出的高效能、高可靠性的功率晶体管，专为高电压和高电流应用设计。该晶体管基于先进的硅技术，具有出色的导通和关断特性，适用于开关电源（SMPS）、马达控制、逆变器和工业自动化等高要求的电子系统。ATV50C600JB-HF 采用 TO-263（D2Pak）表面贴装封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合高功率密度设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
连续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：0.145Ω @ Vgs=10V
栅极电压(Vgs)：±20V
功耗(Pd)：160W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-263（D2Pak）
ATV50C600JB-HF 功率MOSFET具备多项先进特性，确保其在高压高电流环境下稳定运行。首先，其导通电阻较低（典型值为0.145Ω），在大电流条件下可有效减少功率损耗，提高能效。其次，该器件支持高达600V的漏源电压和50A的连续漏极电流，适用于需要高电压和高负载能力的工业与电源系统。
此外，ATV50C600JB-HF 采用先进的沟槽式MOSFET结构，提供更快的开关速度和更低的开关损耗，有助于提高系统的动态响应能力。其TO-263封装形式具备良好的热管理和机械强度，便于在PCB上安装和散热处理。
器件还内置了栅极保护二极管，防止静电放电（ESD）和瞬态电压对栅极的损害，增强可靠性。同时，该MOSFET可在-55°C至+150°C的宽温度范围内工作，适用于严苛环境下的工业和汽车应用。
ATV50C600JB-HF MOSFET主要应用于高功率和高电压系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）以及工业自动化控制系统。其出色的导通特性和高电压承受能力，使其成为设计高效率功率转换电路的理想选择。此外，在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中，ATV50C600JB-HF 也具备广泛的应用潜力。
STP55NF06, IRFZ44N, FDP55N06, SiHF55N06
