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IXSA15N120B 发布时间 时间:2025/8/6 8:04:44 查看 阅读:30

IXSA15N120B是一款由IXYS公司(现为Littelfuse旗下品牌)设计和生产的高电压、高电流MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的沟槽栅场阻断技术(Trench Field Stop Technology),提供了卓越的导通和开关性能,适用于需要高效能功率转换的应用。IXSA15N120B具有1200V的漏源击穿电压(VDS)和15A的连续漏极电流能力,适用于中高功率级别的应用。该器件封装为TO-247,具有良好的散热性能和可靠性。

参数

型号:IXSA15N120B
  类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):1200V
  最大漏极电流(ID):15A(TC=25℃)
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):约1.15Ω(典型值)
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装类型:TO-247

特性

IXSA15N120B具备一系列先进的电气和热性能特点,使其在功率转换应用中表现出色。首先,该器件采用了Trench Field Stop技术,降低了导通损耗并提高了开关速度,从而提升了整体能效。其次,1200V的漏源电压能力使其适用于高电压应用,如太阳能逆变器、电机驱动、电源转换器和工业控制系统等。
  其导通电阻RDS(on)典型值为1.15Ω,这在同类1200V MOSFET中属于较低水平,有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,IXSA15N120B的栅极驱动要求相对较低,支持快速开关操作,减少开关损耗,提高系统的动态响应能力。
  该器件的TO-247封装设计提供了良好的散热性能,确保在高电流负载下仍能保持稳定的工作温度。TO-247封装也广泛用于功率电子设备中,具有良好的机械稳定性和易于安装的特性。
  IXSA15N120B还具有良好的短路耐受能力和过热保护性能,能够在极端工作条件下保持稳定运行,提升系统的可靠性和寿命。其栅极氧化层设计具有较高的耐压能力,允许使用±20V的栅极电压驱动,兼容大多数MOSFET驱动IC的输出电压范围。

应用

IXSA15N120B适用于多种高电压、中等电流的功率电子应用。常见应用包括太阳能逆变器中的DC-AC转换器,用于将光伏板产生的直流电转换为交流电并馈入电网;在电机驱动系统中,作为高频开关元件,实现精确的电机控制和高效能运行;在工业电源系统中,如UPS(不间断电源)和开关电源(SMPS),用于高效的能量转换和调节。
  此外,该器件也可用于电焊机、感应加热设备和电动汽车充电系统等高电压、中等功率的应用场景。由于其良好的热性能和可靠的工作特性,IXSA15N120B在这些应用中能够提供稳定的性能表现,同时减少能量损耗,提高整体系统效率。
  在设计中使用IXSA15N120B时,通常需要搭配合适的栅极驱动电路,以确保快速而稳定的开关操作,并注意散热管理,如加装散热片或使用强制风冷,以延长器件寿命。

替代型号

IXFH15N120P, IXSH15N120H, IXTP12P120A

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IXSA15N120B参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3.4V @ 15V,15A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)30A
  • 功率 - 最大150W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装TO-263AA
  • 包装