ULTVSG29X5VUGP是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高效率和出色的热性能。其封装形式为表面贴装型,便于自动化生产和散热管理。
这款功率MOSFET以其优秀的电气特性和可靠性而闻名,能够承受较高的电压和电流,并在高频开关条件下保持较低的能量损耗。
类型:N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:30A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:45nC
开关频率:高达5MHz
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-263
ULTVSG29X5VUGP具备低导通电阻(Rds(on)),这使其在大电流应用中能够显著减少传导损耗并提升系统效率。
此外,该器件拥有快速的开关速度和较低的栅极电荷,有助于降低开关损耗,在高频工作条件下表现出色。
芯片内部集成的保护机制包括过温关断和过流限制,增强了其在严苛环境中的可靠性。同时,其优化的热阻设计允许更高的功率密度,非常适合紧凑型设计需求。
ULTVSG29X5VUGP广泛应用于各种电力电子领域,例如:
- 开关模式电源(SMPS)
- DC-DC转换器
- 电机驱动与控制
- 电池管理系统(BMS)
- 工业自动化设备
- 汽车电子
凭借其高效率和强健的性能,该芯片成为许多高效能电力转换和控制应用的理想选择。
ULTVSG28X5VUGP
IRF2907ZPBF
FDP16N60E
AUIRF2907A