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IXGT16N170AH1 发布时间 时间:2025/8/6 12:33:31 查看 阅读:24

IXGT16N170AH1 是一款由 Littelfuse(原 IXYS Corporation)生产的高性能功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高电压和高电流应用。该器件采用 TO-247 封装,具备出色的导通性能和低开关损耗,广泛应用于工业电源、电机控制、太阳能逆变器和电力电子变换系统等领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(Id):16A
  漏源电压(Vds):1700V
  栅源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):典型值1.25Ω
  功率耗散(Ptot):80W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装:TO-247

特性

IXGT16N170AH1 是一款专为高电压和高频开关设计的功率 MOSFET。其主要特性包括高耐压(1700V Vds)、低导通电阻(典型值1.25Ω),以及快速开关能力,有助于降低开关损耗,提高系统效率。此外,该器件具备良好的热稳定性和高可靠性,能够在恶劣的工业环境下稳定工作。
  这款MOSFET采用了先进的平面栅极技术和优化的芯片结构,使其在高电压工作条件下仍能保持良好的性能。TO-247 封装提供了良好的散热性能,便于在高功率应用中进行热管理。该器件还具有较强的抗雪崩能力和短路耐受能力,适用于要求苛刻的工业和能源应用。
  另外,IXGT16N170AH1 的栅极驱动要求适中,能够与常见的栅极驱动电路兼容,简化了设计和应用过程。其栅源电压最大为 ±20V,设计时需注意驱动电路的保护措施,以防止过压损坏栅极氧化层。

应用

IXGT16N170AH1 主要用于需要高电压、高效率和高可靠性的电力电子系统中。典型应用包括但不限于工业电源、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电机驱动、电焊机、高压DC-DC变换器以及各种高电压开关电源模块。由于其具备良好的热稳定性和抗干扰能力,特别适用于高温环境或高负载变化的场合。此外,该器件也可用于高电压负载的软启动控制、负载开关以及功率因数校正(PFC)电路中。

替代型号

IXGH16N170A, IXGT16N170A, IXFP16N170A

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IXGT16N170AH1参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型NPT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1700V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)5V @ 15V,11A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)16A
  • 功率 - 最大190W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
  • 供应商设备封装TO-268
  • 包装