电容值：10μF
　　容差：±20%
　　额定电压：35V
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：X7R
　　封装尺寸：1812（4532公制）
　　直流偏压特性：典型值在额定电压下电容下降约40%-60%
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 ≥100S（时间常数）
　　等效串联电阻（ESR）：低至数十mΩ级别（具体取决于频率和测试条件）
　　纹波电流能力：依据应用环境和散热条件而定
　　老化率：≤2.5%每1000小时
　　介质材料：Class II 钛酸钡基陶瓷
　　端电极结构：Ni/Sn镀层，适用于回流焊工艺

UKT1V100MDD1TD具备出色的电容稳定性，在较宽的温度范围内（-55°C至+125°C）能够保持电容值变化不超过±15%，这得益于其采用的X7R类陶瓷介质材料。这种材料不仅提供了较高的介电常数，使得在较小封装内实现大容量成为可能，而且在不同温度条件下表现出良好的非线性补偿能力。该电容器在直流偏压下的电容保持率虽然会随着施加电压增加而有所下降，但在实际应用中仍能维持足够的有效电容用于去耦和滤波目的。例如，在接近额定电压35V时，电容值可能降至初始值的40%-60%，这一特性需在电路设计中予以考虑以确保系统性能不受影响。
　　该器件具有极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其非常适合高频应用场景，如开关电源输出滤波、DC-DC转换器输入/输出级旁路以及高速数字电路的局部去耦。低ESR意味着更少的能量损耗和更低的发热，从而提高了整体系统的效率和可靠性。同时，低ESL增强了其在GHz频段内的阻抗响应，有效抑制高频噪声传播。
　　机械方面，UKT1V100MDD1TD采用坚固的多层结构设计，能够承受多次热循环和机械振动，适合严苛的工作环境。其端电极为三层电极结构（铜内电极/镍阻挡层/锡外电极），具有优异的可焊性和耐腐蚀性，支持无铅回流焊工艺，并兼容现代SMT生产线。此外，该电容器通过了AEC-Q200等可靠性认证，表明其适用于汽车电子等对长期稳定性要求极高的领域。
　　在安全性方面，该产品经过严格的质量控制流程，包括高温负载寿命测试、湿度寿命测试和耐电压测试，确保在各种极端条件下仍能安全运行。其高绝缘电阻和低漏电流特性也使其适用于精密模拟电路中的耦合与隔直应用。总体而言，UKT1V100MDD1TD是一款兼顾高容量、高电压和高可靠性的多层陶瓷电容器，特别适合在空间受限但性能要求高的现代电子系统中使用。

UKT1V100MDD1TD广泛应用于多种电子系统中，尤其是在需要高电容密度和良好温度稳定性的场合。它常被用作开关模式电源（SMPS）中的输入和输出滤波电容器，能够有效平滑电压波动并减少传导噪声，提升电源效率和稳定性。在DC-DC转换器模块中，该电容器作为输入储能和输出纹波抑制元件，配合电感和其他无源器件构成完整的滤波网络，确保为处理器、FPGA、ASIC等敏感负载提供干净稳定的供电。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车身控制模块、信息娱乐系统、ADAS传感器供电单元以及车载充电机（OBC）等子系统中，满足AEC-Q200标准所规定的严苛环境适应性要求。其宽工作温度范围和高可靠性确保在发动机舱或外部暴露环境中仍能长期稳定运行。
　　此外，该电容器也适用于工业自动化设备中的PLC、伺服驱动器和HMI界面，用于电源轨去耦和瞬态抑制。在通信基础设施中，如基站射频单元和光模块电源管理部分，UKT1V100MDD1TD可提供高效的高频旁路功能，降低信号干扰并改善信噪比。
　　消费类电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理IC周围也常见此类高容值MLCC的身影，用于应对动态负载变化带来的电压跌落问题。最后，在医疗设备、测试测量仪器和航空航天电子系统中，该电容器因其高精度、低失真和长寿命特性而受到青睐，是实现高可用性和功能安全的关键元件之一。

GRM456F71H106ME19L
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　　C3216X7R1H106K250AC