CESD1608HC12VU是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的ESD保护二极管阵列。该器件主要用于为高速信号线提供静电放电(ESD)保护,同时保持较低的电容值以避免对信号完整性产生显著影响。它采用超小型DFN封装,非常适合用于便携式电子设备和其他空间受限的应用场景。
该器件具有双向保护功能,可承受±15kV的空气放电和±8kV的接触放电,符合IEC 61000-4-2标准的要求。其低钳位电压特性有助于保护敏感的下游电路免受瞬态电压尖峰的影响。
型号:CESD1608HC12VU
品牌:ON Semiconductor
封装:DFN-6
工作电压:12V
最大箝位电压:15V
ESD防护等级:±15kV(空气放电),±8kV(接触放电)
电容:0.7pF(典型值)
反向漏电流:1nA(最大值,25℃)
响应时间:1ns(典型值)
CESD1608HC12VU具备以下主要特性:
1. 高ESD耐受能力,符合IEC 61000-4-2标准,能够承受高达±15kV的空气放电和±8kV的接触放电。
2. 超低电容设计,仅为0.7pF,适用于高速数据线路,如USB、HDMI等。
3. 快速响应时间,仅为1ns,可以迅速抑制瞬态电压尖峰,从而有效保护后端电路。
4. 小型化封装(DFN-6),节省PCB空间,特别适合移动设备和其他紧凑型应用。
5. 工作电压范围宽达12V,适合多种应用场景。
6. 双向保护结构,支持交流和直流信号线的保护需求。
CESD1608HC12VU广泛应用于各种需要ESD保护的场合,尤其是高速信号接口和便携式设备中。典型应用包括:
1. USB 2.0/3.0接口保护
2. HDMI接口保护
3. DisplayPort接口保护
4. 移动设备中的射频信号线保护
5. 蓝牙和Wi-Fi模块的天线端口保护
6. 消费类电子产品中的音频/视频信号线保护
由于其低电容特性和快速响应时间,这款器件非常适合需要高性能ESD保护的高速数据传输应用。
PESD1608BCTG, SP1014ETPBO