类型：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）
　　漏源电压（VDS）：750V
　　连续漏极电流（ID@25°C）：44A
　　导通电阻（RDS(on)）：18mΩ
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　栅极电荷（Qg）：120nC
　　短路耐受能力：600V/44A

UJ4C075044L8S 是一款高性能的 SiC MOSFET，其核心优势在于其采用碳化硅半导体材料，相较于传统硅基 MOSFET 具有更宽的禁带宽度（Wide Bandgap），从而实现了更低的导通损耗和开关损耗。
　　该器件的导通电阻仅为 18mΩ，在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，显著提升系统效率。此外，其额定漏源电压高达 750V，具备出色的电压耐受能力，适用于高压系统应用。
　　该 MOSFET 还具有较高的工作温度耐受能力（最高可达 175°C），适合在高温环境下稳定运行，减少了散热设计的复杂度和成本。同时，其较低的栅极电荷（Qg=120nC）有助于实现高频开关操作，从而减小磁性元件的体积和重量，提升功率密度。
　　在短路保护方面，UJ4C075044L8S 能够承受高达 600V 和 44A 的短路电流，确保在异常工况下器件的安全性和可靠性。这种优异的短路耐受能力使得其在电机驱动、逆变器和 DC-DC 转换器等应用中具有更高的系统安全性。
　　此外，该器件采用 TO-247 封装形式，具有良好的热管理和机械稳定性，适用于高功率密度的设计。其封装设计也便于安装和散热，提升了整体系统的热稳定性和长期可靠性。

UJ4C075044L8S 主要应用于需要高效率、高频开关和高温稳定性的功率电子系统。典型应用包括电动汽车（EV）的车载充电器（OBC）、电池管理系统（BMS）、DC-DC 转换器、逆变器和电机控制器。
　　在可再生能源领域，该器件适用于太阳能逆变器、风能变流器以及储能系统的功率转换模块。其高频工作能力有助于减小磁性元件体积，提高系统功率密度。
　　在工业电源方面，UJ4C075044L8S 被广泛应用于高功率密度的服务器电源、不间断电源（UPS）、工业电机驱动器和焊接设备等场景。其优异的热性能和短路保护能力也使其成为高可靠性工业设备的理想选择。
　　此外，该器件还适用于家电变频器、智能电网设备以及各类高功率充电设备，能够有效提升能效和系统稳定性。

UF3C065040K3S, SCT3080AL, SiC MOSFET C3M0016120D