UJ4C075044K4S是一款由UnitedSiC(现属于Qorvo)制造的碳化硅(SiC)功率场效应晶体管(FET),专为高效率、高频率和高功率密度的电源转换应用设计。该器件采用先进的碳化硅半导体技术,具备卓越的导通和开关性能,适用于如电动汽车充电器、太阳能逆变器、工业电源和服务器电源等应用场景。
类型:碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)
漏源电压(VDS):750V
连续漏极电流(ID):44A
导通电阻(RDS(on)):40mΩ
封装类型:TO-247-4L(4引脚)
工作温度范围:-55°C至175°C
栅极电压(VGS):±20V
功率耗散:225W
技术:SiC(碳化硅)
UJ4C075044K4S的突出特性之一是其基于碳化硅材料的优异性能,相较于传统硅基MOSFET和IGBT,具有更低的导通损耗和开关损耗。该器件的40mΩ导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗,从而提升了系统整体效率。此外,其额定工作温度可达175°C,使其在高温环境下依然保持稳定性能。
该器件采用TO-247-4L封装,具备独立的源极引脚(开尔文源极配置),有助于减少栅极驱动回路中的寄生电感,从而改善开关性能并降低开关损耗。这种封装设计在高频开关应用中尤为重要,能够有效提升系统的动态响应和稳定性。
此外,UJ4C075044K4S支持较高的栅极驱动电压(±20V),确保在高电流和高频率工作条件下仍能实现快速、可靠的开关操作。其高耐压能力(750V)使其适用于多种中高功率直流-交流和直流-直流转换应用。
UJ4C075044K4S广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中,如电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、可再生能源系统(如光伏逆变器)、工业电源、不间断电源(UPS)、服务器电源和高频开关电源模块。由于其具备高耐压、低导通电阻和优异的高频性能,特别适合用于要求紧凑设计和高效能的现代电源系统。
Qorvo UJ3C075044K4S、Infineon CoolSiC? MOSFET (例如IMZ120R045MH1)、ON Semiconductor NVHL075N045SC1、Wolfspeed C3M0045065J