2SK2473-01是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由东芝(Toshiba)生产。这款晶体管主要用于高频率开关应用,例如在DC-DC转换器、电源管理和小型电机控制中使用。其设计优化了高速开关性能,同时保持了低导通电阻和良好的热稳定性。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大漏极电流(Id):1.5A
最大栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):2.5Ω @ Vgs=10V
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:SOT-23
功率耗散(Pd):100mW
2SK2473-01具有低导通电阻特性,这使得在导通状态下功耗更低,从而提高整体系统效率。
该MOSFET支持高频率开关操作,适用于需要快速切换的应用场景,例如开关电源和逆变器电路。
其SOT-23封装形式非常紧凑,适用于空间受限的电路设计,并且具有良好的热稳定性。
该器件具有较高的栅极击穿电压(±20V),提供了更大的操作灵活性和稳定性。
由于其小型封装和高可靠性,2SK2473-01在便携式电子产品和小型电源系统中广泛应用。
2SK2473-01通常用于开关电源(SMPS)中的低功率DC-DC转换器,以实现高效的电压转换。
在电池管理系统中,该器件可以用于充放电控制电路,确保电池的安全运行。
它也常用于小型电机驱动电路,如玩具、风扇和微型泵的控制。
此外,该MOSFET还适用于LED驱动电路,用于调节和开关LED光源,特别是在低功耗照明应用中。
在传感器接口电路中,2SK2473-01可用于信号切换或作为负载开关,以提高系统的响应速度和效率。
2SK3018, 2SK2468-01, 2N3904