时间：2025/9/2 15:21:49
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H9CCNNN8JTBLAR-NUD 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能低功耗LPDDR4 SDRAM（同步动态随机存取存储器）芯片。该型号主要用于移动设备和嵌入式系统，具有高密度、低功耗和快速数据传输的特点。这款内存芯片广泛应用于智能手机、平板电脑、便携式电子设备等对性能和功耗有严格要求的场景。
容量：8Gb
类型：LPDDR4 SDRAM
封装类型：BGA
工作电压：1.1V
数据速率：3200Mbps
接口：x16
工作温度范围：-40°C至+85°C
H9CCNNN8JTBLAR-NUD 是一款基于LPDDR4标准的高性能DRAM芯片，具有显著的低功耗和高速度特性。其工作电压为1.1V，相比前代LPDDR3内存，功耗降低了约20%，非常适合用于需要延长电池续航时间的移动设备。此外，该芯片的数据传输速率达到3200Mbps，支持高带宽数据传输，能够满足高分辨率视频播放、大型应用程序运行和多任务处理的需求。其x16接口设计提供了更高的数据吞吐能力，同时保持了良好的稳定性和兼容性。
该芯片采用BGA（球栅阵列）封装技术，具有优异的散热性能和机械稳定性，适用于高密度PCB布局设计。此外，H9CCNNN8JTBLAR-NUD 支持多种低功耗模式，如深度掉电模式（DPD）、预充电功耗节省模式（PASR）和温度补偿自刷新（TCSR），可以在不同应用场景下灵活控制能耗，进一步延长设备使用时间。
该内存芯片的容量为8Gb，为系统提供了充足的数据存储和处理能力，适合用于高端移动设备和需要高性能内存支持的嵌入式平台。其工作温度范围为-40°C至+85°C，能够在各种环境条件下稳定工作，确保设备在极端温度下的可靠性。
H9CCNNN8JTBLAR-NUD 主要用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及嵌入式计算系统。其低功耗和高速数据传输特性使其非常适合用于需要高性能内存支持的便携式电子产品。此外，该芯片还可用于工业控制、汽车电子和物联网（IoT）设备中，为这些应用提供高效稳定的内存解决方案。
H9CCNNN8JTBLAR-NUD的替代型号包括H9CPCCN8JTMPAC-NUD和H9CPCNNAJTMLAR-NUD
