类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：700V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：80A
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.095Ω
　　封装形式：TO-247

G80N70的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流条件下，器件的功率损耗相对较低，从而提高了整体系统的效率。此外，G80N70的漏源电压额定值为700V，使其能够承受较高的电压应力，适用于高压电源转换和电机驱动应用。该器件的栅源电压范围为±30V，提供了较高的栅极驱动灵活性，并确保了在不同工作条件下的稳定运行。
　　G80N70采用了先进的平面工艺技术，具有优异的热稳定性和可靠性。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统的工作频率，从而减小外围电路的尺寸和重量。此外，该MOSFET具有良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较高的电流冲击，提高了系统的鲁棒性。
　　在热管理方面，G80N70的封装设计具有良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。这不仅有助于延长器件的使用寿命，还能提高系统的整体稳定性。该器件还具备良好的抗干扰能力，能够在复杂的电磁环境中稳定工作。

G80N70广泛应用于各种高功率电子设备中，例如开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、逆变器、电机驱动器和电焊设备。在开关电源中，G80N70可用作主开关器件，实现高效的能量转换。其低导通电阻和高耐压能力使其在高功率密度电源设计中表现出色。
　　在电机控制和变频器应用中，G80N70可以作为功率开关，用于控制电机的运行状态。由于其快速开关特性和高电流承载能力，能够有效减少功率损耗并提高系统的响应速度。此外，该MOSFET还可用于太阳能逆变器和电动汽车充电系统，满足高效率和高可靠性的要求。
　　在工业自动化和电力电子领域，G80N70也常用于高频逆变器、DC-DC转换器和电能质量调节设备。其优异的电气性能和稳定的热管理能力，使其在这些高要求的应用场景中表现出色。

IXFH80N70Q, IRG4PC50UD, FGP75N70