时间：2025/12/28 13:26:47
阅读：13
K2-ERA+ 是一款由Analog Devices（亚德诺半导体）公司推出的高性能射频（RF）混频器芯片，主要用于通信系统、测试设备和工业应用中的上变频或下变频操作。该芯片基于有源双平衡混频器架构，能够在宽频率范围内提供高线性度、低失真和优异的噪声性能。K2-ERA+ 是 K2 系列中的增强型版本，具备更高的集成度和优化的射频性能，适用于需要高动态范围和稳定性的高端应用场景。
频率范围：50 MHz - 13.5 GHz
转换增益：约6.5 dB
输入IP3：+25 dBm
输入P1dB：+12 dBm
本振（LO）驱动要求：0 dBm
噪声系数：10.5 dB
电源电压：5V
电流消耗：130 mA
封装类型：16引脚TSSOP
K2-ERA+ 的核心特性包括其宽带操作能力和高线性度，这使得它非常适合用于多频段或宽频通信系统。该器件内部集成了LO缓冲放大器，减少了外部驱动需求，降低了系统设计复杂度。其高输入IP3（三阶交调截点）特性确保了在高信号强度环境下仍能保持低失真性能，适用于需要处理复杂调制信号的应用场景。
此外，K2-ERA+ 的噪声系数较低，有助于维持系统的整体信噪比，从而提高接收灵敏度。该芯片的转换增益稳定且平坦，减少了在宽频范围内使用时对额外增益调整的需求。其紧凑的16引脚TSSOP封装形式也使其适用于高密度PCB布局。
由于其优异的性能参数，K2-ERA+ 被广泛用于无线基站、微波回传、软件定义无线电（SDR）、频谱分析仪和测试测量设备等高要求系统中。
K2-ERA+ 主要应用于高性能射频和微波通信系统中，包括但不限于无线基站的接收和发射模块、微波回传链路、卫星通信设备、频谱分析仪、信号发生器、软件定义无线电（SDR）平台以及工业控制和测试设备中的射频前端模块。其宽频带特性和高线性度使其成为多频段或多标准通信系统中的理想选择。
HMC414, LTC5568, AD8343
