型号：RFUH10NS6STL
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：肖特基势垒二极管（SBD）
　　封装类型：SOD-723
　　引脚数：2
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：60V
　　最大直流阻断电压（VR）：60V
　　最大平均整流电流（IO）：100mA
　　最大正向电压（VF）：0.38V @ IF=1mA
　　最大反向电流（IR）：1μA @ VR=60V
　　结温（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　储存温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　工作环境温度范围：-40℃ ~ +125℃
　　电容（CT）：0.8pF @ Vr=1V, f=1MHz
　　反向恢复时间（trr）：典型值小于1ns

RFUH10NS6STL作为一款专为高频应用优化的肖特基势垒二极管，具备多项突出的技术特性。首先，其采用了先进的硅芯片工艺，实现了极低的正向导通电压，在IF=1mA时VF最大仅为0.38V，显著降低了功耗并提升了整体能效，尤其适合电池供电的小型化设备。这一特性使其在微弱信号检测场景中表现出色，例如在AM/FM收音机、蓝牙和Wi-Fi接收器中的信号检波环节能够有效提升灵敏度。
　　其次，该器件拥有非常低的结电容（典型值0.8pF @ 1V），这使其在高频信号路径中引入的负载效应极小，从而保证了信号传输的完整性与高频响应的一致性。对于工作在数百MHz至数GHz频段的应用而言，低电容意味着更高的频率适应能力和更低的信号衰减，因此广泛应用于移动通信终端、GPS导航系统以及无线传感器网络中。
　　此外，RFUH10NS6STL具有极快的反向恢复时间（trr < 1ns），远优于传统PN结二极管，能够在高速开关过程中减少延迟和能量损耗，避免因载流子存储效应引起的失真问题，这对于混频器和调制解调电路至关重要。同时，其反向漏电流控制在极低水平（IR ≤ 1μA @ 60V），确保在高阻抗信号路径中不会产生明显的偏移或噪声干扰。
　　该二极管采用SOD-723超小型封装，外形尺寸约为1.2mm × 0.8mm × 0.5mm，极大节省了PCB布局空间，便于实现高密度组装，适用于可穿戴设备、TWS耳机、物联网模块等追求轻薄短小的产品设计。封装结构还具备良好的散热性能和机械强度，能够在回流焊工艺中保持稳定，支持自动化贴片生产。
　　综合来看，RFUH10NS6STL凭借其低VF、低CT、快速响应和小型化封装等优势，成为现代高频模拟和射频电路中不可或缺的核心元器件之一，尤其适合用于小信号整流、包络检波、限幅保护和本地振荡信号处理等多种功能电路中。

RFUH10NS6STL主要应用于高频和射频电子系统中，尤其是在需要高效信号处理和低功耗运行的便携式设备中表现优异。其典型应用场景包括无线通信设备中的信号检波电路，如蓝牙音频接收模块、Wi-Fi射频前端、FM收音机中的包络检波环节，能够精确还原调制信号并提高接收灵敏度。此外，该二极管也常用于蜂窝移动通信终端（如智能手机和平板电脑）中的天线切换电路或射频功率检测回路，利用其快速响应和低电容特性来保障信号完整性。
　　在消费类电子产品中，RFUH10NS6STL可用于红外遥控接收器的整流部分，将接收到的脉冲信号转换为可用的直流电平，同时由于其低正向压降，有助于提升微弱信号的识别能力。它还可作为保护二极管用于敏感模拟输入端口，防止静电放电（ESD）或瞬态过压对后续电路造成损害，发挥箝位作用。
　　在测量仪器和传感器模块中，该器件适用于高频信号采样和小电流整流任务，例如在雷达探测、近距离无线感应和RFID读写器中执行混频或解调操作。其稳定的电气性能和宽温工作范围也使其适用于工业级环境下的无线监控系统和远程数据采集装置。
　　此外，得益于SOD-723小型封装，RFUH10NS6STL非常适合用于空间受限的高集成度PCB设计，如可穿戴设备、助听器、智能家居节点以及各类IoT终端设备。总之，这款二极管凭借其优异的高频特性和可靠性，已成为现代射频模拟电路设计中的理想选择之一。

RB751S-40