时间：2025/8/15 12:07:45
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UJ4C075018K3S是一款高性能碳化硅（SiC）功率场效应晶体管（FET），适用于高效率和高频率的功率转换应用。这款器件基于宽禁带半导体技术，具有较低的导通电阻和开关损耗，能够在高温和高电压环境下稳定工作。UJ4C075018K3S采用先进的封装技术，提供良好的热管理和电气性能，适用于电动汽车、工业电源和太阳能逆变器等应用。
类型：碳化硅功率场效应晶体管
最大漏源电压（VDS）：1200V
最大连续漏极电流（ID）：75A（在25°C时）
导通电阻（RDS(on)）：18mΩ
最大功率耗散：300W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
UJ4C075018K3S具有多项优异的电气和热性能，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（18mΩ）显著降低了导通损耗，提高了整体效率。其次，碳化硅材料的宽禁带特性使得该器件能够在更高的温度下运行，同时减少了热阻，提高了热管理能力。此外，该FET具有快速开关特性，能够支持高频操作，减少开关损耗并提高系统效率。UJ4C075018K3S还具有优异的短路耐受能力，能够在瞬态条件下保持稳定。封装设计优化了电气连接和散热性能，确保在高功率密度应用中的可靠运行。最后，该器件的高击穿电压（1200V）使其适用于各种高电压转换场景，如电动汽车充电器和工业电源系统。
UJ4C075018K3S广泛应用于需要高效能功率转换的领域，包括电动汽车充电系统、工业电源、太阳能逆变器、储能系统和电机驱动器。在电动汽车领域，该器件可用于车载充电器和DC-DC转换器，提升能效并减少热量产生。在可再生能源系统中，UJ4C075018K3S支持高效太阳能逆变器的设计，提高能源利用率。在工业应用中，该FET适用于高功率电源模块和不间断电源（UPS），确保稳定可靠的电力供应。此外，该器件还可用于高频电源转换器，满足对小型化和高效率的需求。
Cree/Wolfspeed C3M0016120D, Infineon IMZA65R048M1, STMicroelectronics SCT20N120
